T/CSTM 00986-2023 高频介质基板的复介电常数测试 平衡型圆盘谐振器法

T/CSTM 00986-2023 Frequency-dependent measurement of the dielectric constant of high-frequency substrate using the balanced disk resonator method

团体标准 中文(简体) 现行 页数:15页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CSTM 00986-2023
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2023-04-07
实施日期
2023-07-07
发布单位/组织
-
归口单位
中关村材料试验技术联盟
适用范围
范围:本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法,包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。 本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切,电场垂直于平板表面。 频率测试范围:f=5 GHz~170 GHz; 介电常数测试范围:ε_r=2.0~10.0; 损耗角正切值测试范围:tanδ=1.0×10(-4)~1.0×10(-2); 主要技术内容:本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法,包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切,电场垂直于平板表面。频率测试范围:f=5 GHz~170 GHz;介电常数测试范围:ε_r=2.0~10.0;损耗角正切值测试范围:tanδ=1.0×10(-4)~1.0×10(-2)

发布历史

研制信息

起草单位:
电子科技大学、工业和信息化电子第五研究所、中国测试技术研究院、成都恩驰微波科技有限公司、常州中英科技有限公司、浙江华正新材料股份有限公司
起草人:
余承勇、何骁、李恩、张云鹏、李兴兴、高冲、高勇、朱辉、贺光辉、陈泽坚、李灿平、俞丞、任英杰
出版信息:
页数:15页 | 字数:- | 开本: -

内容描述

ICS31.180

CCSL30

团体标准

T/CSTM00986—2023

高频介质基板的复介电常数测试平衡型圆

盘谐振器法

Testmethodforthecomplexpermittivityofhigh-frequencydielectricsubstrates

-Balanced-typecirculardiskresonatormethod

2023-04-07发布2023-07-07实施

中关村材料试验技术联盟发布

T/CSTM00986—2023

目次

前言................................................................................2

引言................................................................................3

1范围................................................................................4

2规范性引用文件......................................................................4

3术语和定义..........................................................................4

4符号和缩略语........................................................................4

5原理................................................................................5

6环境条件............................................................................5

7仪器设备............................................................................6

8样品要求............................................................................6

9测试步骤............................................................................6

9.1样品预处理......................................................................6

9.2仪器准备........................................................................6

9.3样品尺寸测量....................................................................6

9.4样品安装........................................................................6

9.5常温测试........................................................................6

10注意事项...........................................................................7

11试验报告...........................................................................7

附录A(资料性)介电常数和介质损耗角正切计算..........................................8

附录B(资料性)测试系统连接框图.....................................................11

附录C(资料性)样品制备与安装.......................................................12

附录D(资料性)起草单位和主要起草人.................................................13

1

T/CSTM00986—2023

前言

本文件参照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》,GB/T

20001.4—2015《标准编写规则第4部分:试验方法标准》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国材料与试验标准化委员会电子材料领域委员会(CSTM/FC51)提出。

本文件由中国材料与试验团体标准化委员会电子材料领域委员会(CSTM/FC51)归口。

2

T/CSTM00986—2023

引言

采用平衡型圆盘谐振器法对介质基板进行测试,规定了5GHz~170GHz宽带范围内的介电常数和介

质损耗角正切的测试方法,适用于市场需求日益迫切的通信用介质基板、薄膜等材料的介电性能测试,

为材料出厂测试-过程验证-改善验证-终端应用的良性循环提支撑和依据。对比国内外现有标准情况,改

进优化的内容:

a)测试频段拓展至5GHz~170GHz;

b)细化了测试步骤,包括样品预处理、样品制备与安装、测试操作步骤,提高测试的一致性和可

重复性;

c)描述了在试验过程中影响试验结果的注意事项。

3

T/CSTM00986—2023

高频介质基板的复介电常数测试平衡型圆盘谐振器法

重要提示:使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问

题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施,并保证符合国家有关法规规定的条件。

1范围

本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法,包括

原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。

本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切,电场垂直于平板表面。

频率测试范围:𝑓=5GHz~170GHz;

介电常数测试范围:𝜀𝑟=2.0~10.0;

损耗角正切值测试范围:tanδ=1.0×10−4~1.0×10−2。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅

该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2036印制板电路术语

3术语和定义

GB/T2036界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

介电常数dielectricconstant

规定形状电极之间填充电介质获得的电容量于相同结构电极间以真空或空气介质时的电容量之比。

[来源:GB/T2036-1994,6.3.6]

3.2

介电损耗角正切dielectricdissipationfactor

对电介质施加正弦波电压时,通过介质的电流相量超前于电压相量间的相角的余角称为损耗角,对该损

耗角取正切函数值,即为介质损耗角正切值。

[来源:GB/T2036-1994,6.3.7,有修改]

4符号和缩略语

-12

0:真空介电常数,约等于8.854187817×10F/m

r:r/0,相对介电常数实部,简称介电常数,同义词:Dk

tan:tanrr/,介电损耗角正切,同义词:Df

4

T/CSTM00986—2023

t:金属圆盘厚度,mm

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