GB/T 46699-2025 电子级四甲基硅烷
GB/T 46699-2025 Electronic grade tetramethylsilane
基本信息
本文件适用于沉积氧化硅、碳化硅等硅基薄膜的电子级四甲基硅烷，作为集成电路的刻蚀硬掩层、介电层等功能层；也适用于高纯电子清洗剂和标准试剂的电子级四甲基硅烷。
发布历史
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2025年10月
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研制信息
- 起草单位：
- 南大光电半导体材料有限公司、苏州实验室、中国电子技术标准化研究院、江苏南大光电材料股份有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、长江存储科技有限责任公司、上海市计量测试技术研究院、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、全椒南大光电材料有限公司、宁波南大光电材料有限公司、南大光电(乌兰察布)有限公司、浙江中宁硅业股份有限公司、金宏气体股份有限公司、艾生科(江苏)化工科技有限公司、南大光电(淄博)有限公司
- 起草人：
- 陈德义、徐文涛、曹可慰、茅炳荣、史泽远、陈功锋、张汝志、马瑞、孙明璐、李春华、孙鹏、张婷、赵俊莎、张健、鲁铮、李雪、高周、吴怡然、万烨、郝萍、郭威、魏良杰、毛国玉、汪晨、栗广奉、刘见华、刘立伟、张宝帅、孙丽丽、赵斌、曹益宁、陆平、张鹏、彭元兵、许胜霞、刘能巧、周礼、孟庆典、王艺潼、孙建、高朋、张佳瑶、钱瑶
- 出版信息：
- 页数：20页 | 字数：23 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.030
CCSL90
中华人民共和国国家标准
GB/T46699—2025
电子级四甲基硅烷
Electronicgradetetramethylsilane
2025⁃10⁃31发布2026⁃05⁃01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
GB/T46699—2025
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。
本文件起草单位：南大光电半导体材料有限公司、苏州实验室、中国电子技术标准化研究院、江苏
南大光电材料股份有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、长江存储科技有限责任公司、上海市
计量测试技术研究院、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、全椒南大光
电材料有限公司、宁波南大光电材料有限公司、南大光电（乌兰察布）有限公司、浙江中宁硅业股份有限
公司、金宏气体股份有限公司、艾生科（江苏）化工科技有限公司、南大光电（淄博）有限公司。
本文件主要起草人：陈德义、徐文涛、曹可慰、茅炳荣、史泽远、陈功锋、张汝志、马瑞、孙明璐、李春华、
孙鹏、张婷、赵俊莎、张健、鲁铮、李雪、高周、吴怡然、万烨、郝萍、郭威、魏良杰、毛国玉、汪晨、栗广奉、
刘见华、刘立伟、张宝帅、孙丽丽、赵斌、曹益宁、陆平、张鹏、彭元兵、许胜霞、刘能巧、周礼、孟庆典、王艺潼、
孙建、高朋、张佳瑶、钱瑶。
Ⅰ
GB/T46699—2025
电子级四甲基硅烷
1范围
本文件规定了半导体行业用电子级四甲基硅烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资料、运
输、贮存及安全警告的要求，描述了相应的检测方法。
本文件适用于沉积氧化硅、碳化硅等硅基薄膜的电子级四甲基硅烷，作为集成电路的刻蚀硬掩层、
介电层等功能层；也适用于高纯电子清洗剂和标准试剂的电子级四甲基硅烷。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于
本文件。
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3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4技术要求
电子级四甲基硅烷应符合表1的规定。
1
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