GB/T 43967-2024 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法

ICS49.020

CCSV06

中华人民共和国国家标准

/—

GBT439672024

空间环境宇航用半导体器件单粒子

效应脉冲激光试验方法

—

SaceenvironmentTestmethodofsinleeventeffectsinducedbulsedlaserof

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semiconductordevicesforsacealication

ppp

2024-04-25发布2024-04-25实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT439672024

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验目的…………………3

5试验原理…………………3

6一般要求…………………3

6.1试验环境……………3

6.2试验样品……………3

6.3试验条件参数设定…………………3

6.4激光能量分析………………………5

6.5试验人员……………5

6.6单粒子效应脉冲激光模拟试验装置要求…………6

6.7激光辐射安全和辐射防护…………6

7试验设计…………………6

7.1试验样品测试硬件设计……………6

7.2试验样品测试软件设计……………6

7.3试验测试要求………………………7

8试验过程…………………7

8.1试验方案制定………………………7

8.2试验流程……………7

8.3试验启动……………8

8.4激光单粒子效应敏感度测试………………………8

8.5单粒子效应测试……………………9

8.6试验停止条件………………………9

8.7改变测试条件或测试程序…………9

8.8更换样品……………9

9试验结果处理……………9

9.1试验数据分析处理…………………9

9.2试验报告……………10

()…………………

附录资料性单粒子效应脉冲激光模拟试验原理

A11

Ⅰ

/—

GBT439672024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由中国科学院提出。

(/)。

本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会SACTC425归口

:、

本文件起草单位中国科学院国家空间科学中心中国航天科技集团有限公司第八研究院第八〇四

研究所。

:、、、、、、、、、。

本文件主要起草人韩建伟马英起上官士鹏朱翔陈睿李昌宏游红俊刘奎赵旭梁亚楠

Ⅲ

/—

GBT439672024

空间环境宇航用半导体器件单粒子

效应脉冲激光试验方法

1范围

(“”)

本文件规定了利用脉冲激光辐射源开展宇航用半导体器件以下简称器件单粒子效应模拟试验

的试验设计与程序。

本文件适用于宇航用半导体器件单粒子效应等的单光子或双光子吸收机制的脉冲激光模拟试验的

试验设计与过程控制。

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/:

激光产品的安全第部分生产者关于的检查清单

GBT7247.55GB7247.1

/测量管理体系测量过程和测量设备的要求

GBT19022

/测量不确定度评定和表示

GBT27418

/航天电子产品静电防护要求

GBT32304

/—宇航用处理器器件单粒子试验设计与程序

GBT393432020

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

单粒子效应;

sinleeventeffectSEE

g

、、。

单个高能粒子作用于器件所引发的翻转锁定烧毁等现象

3.2

单粒子翻转;

sinleeventusetSEU

gp

,。

单个高能粒子作用于器件引发器件逻辑状态发生变化的一种效应

3.3

单粒子锁定;

sinleeventlatchuSEL

gp

,,、

单个高能粒子作用于硅衬底电路导致寄生可控硅结构导通造成器件低电阻大电流状态的一种

辐射效应。

3.4

单粒子烧毁;

sinleeventburnoutSEB

g

,,、

单个高能粒子作用于半导体功率器件导致寄生晶体管导通造成器件大电流高电压状态被击穿

或热损坏的一种效应。

1