适用范围：主要技术内容:本文件规定了IC电磁辐射测试新型TEM小室的试验条件、试验设备、试验布置、试验程序、试验报告等。本文件适用于IC电磁辐射测试

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高精度超洁净晶圆卡爪生产制造规范的术语和定义、场地和人员、设备、材料、加工流程、成品质量、环境保护、安全。本文件适用于高精度超洁净晶圆卡爪（以下简称“卡爪”）的生产制造

适用范围：范围:本文件规定了高功率红外激光准直镜的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于波长915 nm～1080 nm的高功率红外激光准直镜的设计、制造和检验; 主要技术内容:前言III1  范围12  规范性引用文件13  术语和定义14  技术要求14.1  一般要求14.2  外观14.3  尺寸14.4  性能25  试验方法25.1  外观25.2  尺寸25.3  性能试验26  检验规则36.1  出厂检验36.2  型式检验37  标志、包装、运输和贮存47.1  标志47.2  包装47.3  运输47.4  贮存4参考文献5

适用范围：主要技术内容:本文件给出了用电感耦合等离子发射光谱法测定三元正极材料中磁性物质的方法。本文件适用于锂离子电池三元正极材料磁性物质的测试

适用范围：范围:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：主要技术内容:本文件确定了半导体器件可靠性强化试验方法，并规定了元器件强化试验的一般步骤、相关要求、方法及参数监测等。本文件适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件、混合电路的可靠性强化试验指导

适用范围：主要技术内容:本文件规定了阻变存储单元擦写、耐久性和数据保持等测试方法，其结果用于表征阻变存储器的电学特性。本文件适用于阻变存储器器件的测试，用于测试器件单元特性，不适用于包含外部驱动电路的存储单元

适用范围：主要技术内容:本文件规定了固态铝电解电容器用电极箔的型号命名、技术指标、检验方法、检验项目、检验规则、包装、标识、运输、储存等。本文件适用于以高纯铝箔为原材料，采用电解扩面增加比表面积并形成赋能绝缘膜的方法，生产的固态铝电解电容器用电极箔

适用范围：范围:本文件规定了扩展现实设备对视觉健康影响的指标要求、测试方法和评价方法。 本文件适用于包括虚拟现实、增强现实等在内的扩展现实显示设备; 主要技术内容:联合发布单位（排名不分先后）：北京图象图形学学会、江苏省通信学会虚拟现实专业委员会、浙江省虚拟现实产业联盟、安徽省虚拟现实产业协会、杭州虚拟现实行业协会、成都虚拟与增强现实产业协会、天津市虚拟现实与增强现实技术应用协会、西藏虚拟现实和增强现实技术应用协会、中关村视界裸眼立体信息产业联盟本标准从扩展现实硬件终端设备（包括但不限于虚拟现实眼镜和增强现实眼镜）对视觉健康影响的角度，建立基于扩展现实硬件光学参数和视觉健康建立扩展现实硬件终端检测技术标准研究和鉴定技术标准研究。主要包括判定影响视觉健康的扩展现实设备和生理视觉相关关键参数、用医学方法确定扩展现实设备对视觉健康的影响、形成影响视觉健康的扩展现实设备参数测试方法、构建影响视觉健康的扩展现实设备关键光电指标和参数范围，建立用以判定扩展现实硬件终端质量团体标准。主要技术内容包括：对扩展现实设备的主要测试参数和测量方法做出规范的定义，统一参数的测量方法和评价要求；把传统光学客观检测指标与人眼视觉舒适舒适性相结合，从视觉健康角度评价扩展现实设备的视觉舒适性，建立扩展现实设备视觉健康维度的测试标准和评价体系；在测试标准中增加了用户体验维度，建立从客观数据到主观体验的立体评价体系；从视觉健康为出发点，建立从医学研究到实验室客观测试的评价方法

适用范围：主要技术内容:本标准规定了冲孔式纸质载料带的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、运输和贮存、质量承诺。本标准适用于承载表面安装元器件的冲孔式纸质载料带（以下简称产品）