T/CIE 148-2022 阻变存储单元电学测试规范

ICS31200

CCSL.05

团体标准

T/CIE148—2022

阻变存储单元电学测试规范

Resistivememorycellelectricalparametertestsepcification

2022-12-31发布2023-01-31实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

T/CIE148—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

设备

4………………………2

概述

4.1…………………2

脉冲信号发生器

4.2……………………2

温度试验箱

4.3…………………………2

测试流程

5…………………2

目的

5.1…………………2

测试准备

5.2……………2

阻变存储单元写操作

5.3………………2

阻变存储单元擦操作

5.4………………3

阻变存储单元读操作

5.5………………3

阻变存储单元连续读测试

5.6…………3

阻变存储单元擦写循环测试

5.7………………………3

阻变存储单元数据保持能力测试

5.8…………………4

测试报告

6…………………4

Ⅰ

T/CIE148—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国电子学会可靠性分会提出并归口

。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所广东工业大学中国科学院微电子研究所北京

:、、、

大学黄河科技学院

、。

本文件主要起草人雷登云韦覃如张锋高汭许晓欣来萍黄云黄鹏杨东王力纬侯波曲晨冰

:、、、、、、、、、、、、

孙宸刘远

、。

Ⅲ

T/CIE148—2022

引言

阻变存储器作为一种新型的非易失性存储器具有高速高集成度高兼容等特点受到了广泛的关

,、、

注不同于等传统非易失性存储器不同机理不同材料不同结构的阻变存储器特性差异很

。Flash,、、

大造成阻变存储器选型设计生产成本高昂随着阻变存储器从学术研究向着产业化方向快速发

,、、。

展对于其参数与可靠性等评价提出了更高的要求本文件通过将阻变存储单元的测试标准化可以降

,。,

低阻变存储单元由设计到生产所需时间和成本推进阻变存储器产业的发展

,。

Ⅳ

T/CIE148—2022

阻变存储单元电学测试规范

1范围

本文件规定了阻变存储单元擦写耐久性和数据保持等测试方法

、。

本文件适用于阻变存储器器件的测试

。

本文件不适用于包含外部驱动电路的存储单元

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

集成电路术语

GB/T9178

半导体集成电路封装术语

GB/T14113

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

GB/T175742:

非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T35003

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T9178、GB/T14113GB/T17574。

31

.

阻变存储单元resistivememorycell

一种在外部电场的作用下能够改变阻值的非易失性存储单元

。

32

.

形成操作formingoperation

向未经使用的阻变存储单元在初始时施加特定电压从而使之具备阻变特性的过程

,。

33

.

写操作setoperation

阻变存储单元在外部电场的作用下从高阻态向低阻态转变的过程

。

34

.

擦操作resetoperation

阻变存储单元在外部电场的作用下从低阻态向高阻态转变的过程

。

35

.

读操作readoperation

测量阻变存储器单元电阻从而读取阻变存储单元的存储状态

,。

36

.

窗口windows

高阻态阻值与低阻态阻值的比例

。

1