GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T 35003-2018 Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory

国家标准中文简体现行页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 35003-2018

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

L56 半导体集成电路

国际标准分类号（ICS）

31.200 集成电路、微电子学

发布日期

2018-03-15

实施日期

2018-08-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

适用范围

本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

发布历史

2018年03月

GB/T 35003-2018　非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

当前标准现行 2018-03-15

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中国电子技术标准化研究院、上海复旦微电子集团股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、北京兆易创新科技股份有限公司、深圳国微电子有限公司、成都华微电子科技有限公司

起草人：: 罗晓羽、董艺、郭晓宇、高硕、刘妙、谢休华

出版信息：: 页数：7页 | 字数：12 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT350032018

非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

Testmethodsforenduranceanddataretentionofnon-volatilememor

2018-03-15发布2018-08-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT350032018

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利

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GB/T 17574-1998

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

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