• SJ/T 11460.3.1-2021 液晶显示用背光组件 第 3-3-1 部分:电视接收机用直下式 LED背光组件详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3.1-2021 Liquid crystal display backlight assembly for TV receiver use - Part 3-3-1: Direct-lit LED backlight assembly specification for TV receiver application
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2021-03-05 | 实施时间: 2021-06-01
  • SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范 现行
    译:SJ/T 11758-2020 The performance specifications of LED chips used in liquid crystal display backlight components
    适用范围:适用于液晶显示背光组件用 LED 蓝光芯片。其他芯片可参考使用
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11460.3-2016 液晶显示用背光组件 第3-3部分:电视接收机用LED背光组件空白详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3-2016 SJ/T 11460.3-2016 Backlight assembly for liquid crystal display - Part 3-3: Blank specification for LED backlight assembly for TV receivers
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 11581-2016 LED模块加速寿命试验方法 现行
    译:SJ/T 11581-2016 LED module accelerated life testing method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻 现行
    译:SJ/T 2658.15-2016 Measurements for Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 15: Thermal Resistance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分:结温 现行
    译:SJ/T 2658.14-2016 SJ/T 2658.14-2016 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 14: Junction Temperature
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率 现行
    译:SJ/T 2658.16-2016 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 16: Photovoltaic Efficiency
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 11579-2016 LED模块接口规则 现行
    译:SJ/T 11579-2016 SJ/T 11579-2016 LED Module Interface Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 11580-2016 普通照明用LED模块(LED部件)接口规则 现行
    译:SJ/T 11580-2016 LED module (LED component) interface specification for general lighting purposes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南 现行
    译:SJ/T 11577-2016 SJ/T 11577-2016 and SJ/T 11394-2009 "Semiconductor Light-Emitting Diode Test Method" Application Guide
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法 现行
    译:SJ/T 2749-2016 SJ/T 2749-2016 Semiconductor laser diode test method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 现行
    译:SJ/T 2658.1-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 1: General Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 现行
    译:SJ/T 2658.4-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 4: Total Capacitance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽 现行
    译:SJ/T 2658.10-2015 SJ/T 2658.10-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 10: Modulation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻 现行
    译:SJ/T 2658.5-2015 SJ/T 2658.5-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 5: Series Resistance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 现行
    译:SJ/T 2658.3-2015 SJ/T 2658.3-2015 Semiconductor infrared emitting diode measurement methods Part 3: Reverse voltage and reverse current
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽 现行
    译:SJ/T 2658.12-2015 SJ/T 2658.12-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 12: Peak Emission Wavelength and Spectral Radiation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角 现行
    译:SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率 现行
    译:SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数 现行
    译:SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01