GB/T 46567.2-2026 智能计算 忆阻器测试方法 第2部分：线性度

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T465672—2026

.

智能计算忆阻器测试方法

第2部分线性度

:

Intelligentcomputing—Testmethodformemristor—

Part2Linearit

:y

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T465672—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

待测器件

4…………………1

测试装置与环境条件

5……………………2

测试装置

5.1……………2

测试环境条件

5.2………………………4

测试方法

6…………………4

过程中的线性度

6.1LTP………………4

过程中的线性度

6.2LTD………………6

测试报告

7…………………8

附录资料性测试报告模板

A()…………9

Ⅰ

GB/T465672—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是智能计算忆阻器测试方法的第部分已经发布了以下

GB/T46567《》2。GB/T46567

部分

:

第部分基础特性

———1:;

第部分线性度

———2:。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国智能计算标准化工作组提出

(SAC/SWG32)。

本文件由全国智能计算标准化工作组和全国半导体器件标准化技术委员会

(SAC/SWG32)(SAC/

共同归口

TC78)。

本文件起草单位中国科学院微电子研究所之江实验室浙江大学中国人民解放军国防科技大

:、、、

学河北大学东北师范大学复旦大学中国电子科技集团公司第十三研究所杭州国磊半导体设备有

、、、、、

限公司上海复旦微电子集团股份有限公司中国信息通信研究院中移杭州信息技术有限公司浪潮

、、、()、

电子信息产业股份有限公司天翼云科技有限公司中移苏州软件技术有限公司中国计量大学深圳

、、()、、

陆兮科技有限公司深圳市九天睿芯科技有限公司北京云之印科技有限公司

、、。

本文件主要起草人王忠新许晓欣孙文绚时拓马小雯陈鹏王中强王明闫小兵李清江

:、、、、、、、、、、

钟鑫刘山佳顾海林董红梁黄唯静张九六周兰蒙贵云张丽静徐海阳李莹刘琦王义楠杨彪

、、、、、、、、、、、、、、

张乾王斌强张明明滕耘杨明冯杰刘海连周芃刘洪杰

、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T465672—2026

.

引言

忆阻器的阻值状态由外加激励历史决定具备非易失性记忆功能是实现高密度低功耗快速数据

,,、、

存储的理想器件为发展高能效存算一体系统提供了切实可行的解决方案同时忆阻器可模拟生物突

,。,

触行为适用于深度神经网络和脉冲神经网络中突触功能的实现为神经形态计算的

,(DNNs)(SNNs),

发展奠定了基础

。

在神经形态计算等前沿应用场景中忆阻器的性能指标直接影响系统的整体效能其关键性能包

,。

括基础特性如读电预处理增强与抑制等线性度脉冲依赖可塑性和非对称性等然而当前行业

(、、)、、。,

内缺乏统一的测试方法标准导致不同单位间的性能评估结果缺乏可比性制约了技术的规范化发展

,,。

为解决这一问题亟需建立科学系统的测试规范以保障忆阻器性能评估的客观性与一致性

,、,。

为响应产业需求并推动技术标准化智能计算忆阻器测试方法拟由个部分

,GB/T46567《》4

构成

。

第部分基础特性目的在于描述忆阻器的读电预处理增强和抑制等基础特性的测试

———1:。、、

方法

。

第部分线性度目的在于描述忆阻器线性度的测试方法

———2:。。

第部分脉冲依赖可塑性目的在于描述忆阻器脉冲依赖可塑性的测试方法

———3:。。

第部分非对称性目的在于描述忆阻器非对称性的测试方法

———4:。。

Ⅳ

GB/T465672—2026

.

智能计算忆阻器测试方法

第2部分线性度

:

1范围

本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时电导变化的线性度

,

的测试方法

。

本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

智能计算忆阻器测试方法第部分基础特性

GB/T46567.1—20251:

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T46567.1—2025。

31

.

线性度linearity

L

在连续的外部编程脉冲作用下忆阻器的电导值的变化过程与理想线性变化之间的吻合程度

,。

32

.

突触权重synapticweight

W

两个神经元之间的连接强度

。

注用忆阻器电导值表示

:。

33

.

长时程增强long-termpotentiationLTP

;

忆阻器在连续正向电脉冲刺激下电导增大且长时间保持的过程

。

34

.

长时程抑制long-termdepressionLTD

;

忆阻器在连续反向电脉冲刺激下电导减小且长时间保持的过程

。

4待测器件

待测件忆阻器由上电极阻变层和下电极构成其结构示意图和等效电路图分别见图和

、,1a)

图在读电预处理增强抑制过程中忆阻器的上电极和下电极将被施加不同的操作电压V

1b)。、、、,pre

和V

post。

1