YS/T 818-2012 高纯铋
YS/T 818-2012 High purity bismuth
基本信息
本标准适用于以电解精炼和区熔法生产的高纯铋,该产品主要用于制备化合物半导体、高纯合金、热电转换材料以及原子反应堆冷却载体等。
发布历史
-
2012年11月
研制信息
- 起草单位:
- 广东先导稀材股份有限公司、东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
- 起草人:
- 朱刘、潘卫军、朱赞芳、杨卫东、詹科、曾冬苗
- 出版信息:
- 页数:6页 | 字数:8 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.150.99
H62
中华人民共和国有色金属行业标准
/—
YST8182012
高纯铋
Hihuritbismuth
gpy
ㅤㅤㅤㅤ
2012-11-07发布2013-03-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
/—
YST8182012
高纯铋
1范围
、、、、、、、
本标准规定了高纯铋的技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存质量证明书及合同
()。
或订货单内容
,、、
本标准适用于以电解精炼和区熔法生产的高纯铋该产品主要用于制备化合物半导体高纯合金
热电转换材料以及原子反应堆冷却载体等。
2规范性引用文件
,,
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,()。
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
/数值修约规则与极限数值的表示和判定
GBT8170
3要求
3.1产品分类
ㅤㅤㅤㅤ
高纯铋按化学成分分、两个牌号。
Bi99.9999Bi99.999
3.2化学成分
高纯铋的化学成分应符合表的规定。
1
表1高纯铋的化学成分%
杂质含量,
Bi含量不大于
牌号
不小于CuAgMgNiZnAuFeCd
Bi99.999999.99990.000010.000010.0000050.000010.000010.0000050.000010.00001
Bi99.99999.9990.00010.00010.00010.00010.00010.00010.00010.0001
Bi含量
牌号CrAsAlPbSn总和
不小于
Bi99.999999.99990.0000050.000010.000010.000010.0000050.0001
Bi99.99999.9990.00010.00010.00010.00010.00010.001
:。
注牌号中的铋含量为100%减去表中所列杂质元素实测总和的余量
3.3物理要求
、、、。
3.3.1产品以铋针铋锭铋块铋粉和铋粒供货
、、、。
3.3.2高纯铋针针长铋锭铸型和重量铋块重量铋粉粒度和铋粒粒径由供需双方商定
定制服务
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