基本信息
标准号
GB/T 10117-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了高纯锑的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺制备的高纯锑。
注： 高纯锑主要用于制备ⅢⅤ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件，以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。
本文件适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺制备的高纯锑。
注： 高纯锑主要用于制备ⅢⅤ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件，以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。
发布历史
-
1988年12月
-
2009年10月
-
2021年12月
研制信息
- 起草单位：
- 峨眉山市峨半高纯材料有限公司、峨嵋半导体材料研究所、广东先导稀材股份有限公司、有研国晶辉新材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、江苏秦烯新材料有限公司
- 起草人：
- 张程、朱君、黎亚文、雷聪、曾洪、肖伟微、李强、张胜、乐卫华、黄文文、柴晨、普世坤、何建军
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.150.99
CCSH62
中华人民共和国国家标准
/—
GBT101172021
代替/—
GBT101172009
高纯锑
Hihuritantimonium
gpy
2021-12-31发布2022-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT101172021
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/—《》,/—,
本文件代替GBT101172009高纯锑与GBT101172009相比除结构调整和编辑性改动
,:
外主要技术变化如下
)(,);
更改了适用范围见第章年版的第章
a120091
)、、,、、、、、
b更改了化学成分中杂质元素AsAuPb的要求增加了BNaAlCaGaSn杂质含量的要求
(,);
见5.12009年版的3.2
)、();
增加了关于含量杂质含量总和的说明见表
cSb
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