GB/T 10117-2009 高纯锑
GB/T 10117-2009 High purity antimonium
基本信息
标准号
GB/T 10117-2009
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.999 9%的高纯锑。产品用于制备ⅢⅤ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。
本标准适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.999 9%的高纯锑。产品用于制备ⅢⅤ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。
发布历史
-
1988年12月
-
2009年10月
-
2021年12月
研制信息
- 起草单位:
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人:
- 王炎、蒋蓉
- 出版信息:
- 页数:5页 | 字数:6 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.150.99
H62
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中华人民共和国国家标准
GB/T
101171988
代替GB/T
高纯,U镟l。Jl"
Highantimonium
purity
2009-10-30发布
宰瞀鳃紫瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘111
10117—2009
GB/T
前言
本标准代替GB/T10117—1988《高纯锑》。
本标准与GB/T
10117—1988相比,主要有如下变动:
——增加了“规范性引用文件”;
——化学成分增加“杂质总量含量”一栏,并对杂质的含量做了一些调整,主要是金、镉、铅的技术
参数;
——在“检验规则”中增加“每批产品的重量一般应不大于100kg”;
——在“产品交付”中增加“外用塑料薄膜密封”;
——将原标准中“产品的化学成分的分析方法按供方现行方法进行;仲裁分析按供需双方认可的方
法进行”改为“产品的化学成分分析按YS/T
35.1~35.4高纯锑化学分析方法进行”;
——对原标准中“在收到产品之日起三个月内向供方提出”中三个月的时间做了修改;
——将原标准中“化学成分检验不合格时,应取双倍数量的试样进行复验。如其中有一个试样结果
仍不符合本标准的要求,则判定该批产品为不合格品。”改为“化学成分检验不合格时,则判定
该批产品为不合格品。”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:王炎、蒋蓉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——GB/T10117—1988。
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