GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

ICS77.120.10

H61百目

中华人民共和国国彖标准

GB/T29658—2013

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

High-puritysputteringaluminiumandaluminium

alloytargetusedinelectronicfilm

2013-09-06发布2014-05-01实

GB/T29658—2013

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刖吕

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准由全国有色金属标准化技术委员(SAC/TC243)归口。

本标准负责起草单位:有研亿金新材料股份有限公司。

本标准参加起草单位：宁波江丰电子材料有限公司、新疆众和股份有限公司。

本标准主要起草人:万小勇、罗俊锋、廖赞、尚再艳、杨华、朱晓光、孙秀霖、何金江、熊晓东、王兴权、

王学泽、钱红兵、喻洁、刘杰、洪涛、努力古、宋玉萍。

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GB/T29658—2013

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

1范围

本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运

输、存贮、订货单（或合同）等内容。

本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材（以下简称铝靶）。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标

准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。

GB/T1804一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差

GB/T6394金属平均晶粒度测定方法

GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则

GB/T15823无损检测氮泄漏检测方法

GB/T20975.25铝及铝合金化学分析方法第25部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法

GJB1580A变形金属超声检验方法

JB/T4734铝制焊接容器

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T871高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质普法

3要求

3.1产品分类

3.1.1按照应用领域分为：半导体布线用高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高

纯溅射靶材和太阳能电池用高纯溅射靶材。

3.1.2按照结构形式分为单体和焊接两种。

3.1.3按外形分为圆形、矩形和三角形等。

3.2合金成分与纯度

3.2.1根据合金材料不同.可分为纯铝靶、铝硅合金靶、铝铜合金靶、铝硅铜合金靶四种靶材。

3.2.2高纯铝合金靶中合金元素含量应不超过规定成分的士10%。

3.2.3铝靶合金成分及杂质元素要求应符合表1规定。

表1铝靶合金成分和对应的杂质元素

成分A1AlSiAICuAlSiCu

A1或A1合金含量不小于

99.9999.99999.999599.99599.99999.999599.99999.999599.99999.9995

%

简称4N5N5N54N55N5N55N5N55N5N5

1

GB/T29658—2013

表1（续）

成分AlAlSiAICuAlSiCu

Ag10.3—10.310.310.3

As10.5—10.510.510.5

Au—10.5—10.510.510.5

B0.50.5—0.50.50.50.50.50.5

Ba—10.5—10.510.510.5

Bi—11—111111

B—0.50.5—0.50.50.50.50.50.5

Ca10.2—10.210.210.2

Cd——1.0——1.0—1.0—1.0

C—11—111111

Cl444444444