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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范

GB/T 28275-2012 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process

国家标准 中文简体 现行 页数：10页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 28275-2012
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L55/59 微电路
国际标准分类号（ICS）
31.200 集成电路、微电子学
发布日期
2012-05-11
实施日期
2012-12-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
适用范围
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。

发布历史

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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范-第1页
GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范-第2页
GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范-第3页
GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范-第4页

研制信息

起草单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集团第四十九研究所、中机生产力促进中心
起草人：
夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟
出版信息：
页数：10页 | 字数：16 千字 | 开本： 大16开

内容描述

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    GB/T 26111-2010
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