GB/T 47239.3-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分:柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价

GB/T 47239.3-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 3:Evaluation of thin film transistor characteristics on flexible substrates under bulging

国家标准 中文简体 即将实施 页数:24页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 47239.3-2026
标准类型
国家标准
标准状态
即将实施
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2026-08-28
实施日期
2027-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。
本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。

文前页预览

研制信息

起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、浙江清华柔性电子技术研究院、柔检(嘉兴)科技有限公司、浙江迈沐智能科技有限公司、厦门大学、中国电子科技集团公司第四十七研究所、东莞市惟思德科技发展有限公司、中国计量大学、浙江工业大学、福建师范大学、粤芯半导体技术股份有限公司、上海交通大学、华航环境发展有限公司
起草人:
路国光、杨晓锋、来萍、牛皓、朱海斌、韦覃如、彭光健、何志峰、陈思、马丙戌、简晓东、高汭、周浩淼、朱明敏、孙虎、洪文晶、翁章钊、章文福、赵鹤然、范剑峰、王海建、倪毅强、么宇、吴永君、马少鹏、陈颖、范博文、周士潮、邢同振
出版信息:
页数:24页 | 字数:31 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T472393—2026/IEC62951-32018

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第3部分柔性基板在凸起状态下的

:

薄膜晶体管性能评价

Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—

Part3Evaluationofthinfilmtransistorcharacteristicson

:

flexiblesubstratesunderbulging

IEC62951-32018IDT

(:,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T472393—2026/IEC62951-32018

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验样品

4…………………1

通则

4.1…………………1

试验样品尺寸

4.2………………………1

尺寸测量

4.3……………2

试验前贮存

4.4…………………………2

试验装置和试验步骤

5……………………2

通则

5.1…………………2

试验装置

5.2……………2

试验程序

5.3……………6

测试报告

6…………………10

附录资料性其他类型的电学和机械测试设备

A()……………………11

带有加热系统的吸收式电学和机械测试设备

A.1…………………11

带卤素灯加热系统的膨胀式电学和机械测试设备

A.2……………11

附录资料性压力导致的失效评估试验

B()……………13

参考文献

……………………15

GB/T472393—2026/IEC62951-32018

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发

GB/T47239《》3。GB/T47239

布了以下部分

:

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法

———1:;

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

———2:、;

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价

———3:;

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价

———4:;

第部分柔性材料热特性测试方法

———5:;

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法

———6:;

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法

———7:;

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

———8:、;

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法

———9:(1T1R)。

本文件等同采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分柔性基板在

IEC62951-3:2018《3:

凸起状态下的薄膜晶体管性能评价

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

删除了术语和定义中和术语数据库网址

———ISOIEC。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所浙江清华柔性电子技术研究院柔检嘉兴科

:、、()

技有限公司浙江迈沐智能科技有限公司厦门大学中国电子科技集团公司第四十七研究所东莞市惟

、、、、

思德科技发展有限公司中国计量大学浙江工业大学福建师范大学粤芯半导体技术股份有限公司

、、、、、

上海交通大学华航环境发展有限公司

、。

本文件主要起草人路国光杨晓锋来萍牛皓朱海斌韦覃如彭光健何志峰陈思马丙戌

:、、、、、、、、、、

简晓东高汭周浩淼朱明敏孙虎洪文晶翁章钊章文福赵鹤然范剑峰王海建倪毅强么宇

、、、、、、、、、、、、、

吴永君马少鹏陈颖范博文周士潮邢同振

、、、、、。

GB/T472393—2026/IEC62951-32018

.:

引言

柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可

、、、、,、

穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件

、。

的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸

,。GB/T47239《

半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性

》,

能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成

、。9。

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯

———1:。

曲试验方法

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下

———2:、。

柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法

、。

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定柔性基板在凸起状态

———3:。

下薄膜晶体管特性的评价方法

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基

———4:。

板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法

第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法

———5:。。

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是规定柔性导电薄膜的薄层电阻测试

———6:。

方法

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄

———7:。

膜阻挡特性的测试方法

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的

———8:、。

术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程

,、。

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电

———9:(1T1R)。

阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励

(1T1R),、

和测试流程

所有部分均对应采用所有部分统一了柔性可拉伸半导体器件的测试

GB/T47239()IEC62951(),

和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展

,。

GB/T472393—2026/IEC62951-32018

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第3部分柔性基板在凸起状态下的

:

薄膜晶体管性能评价

1范围

本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法

本文件所述的薄膜晶体管其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯聚酰亚胺合成橡胶

,(PET)、(PI)、

等材料在内的柔性基板上其性能评价过程中的应力加载方式是借助外部设备在柔性基板上施加均

。,

匀的压力

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

半导体器件分立器件第部分场效应晶体管

IEC60747-88:(Semiconductordevices—

Discretedevices—Part8:Field-effecttransistors)

半导体器件微机电器件第部分薄膜机械性能的打压试验方法

IEC62047-1717:(Semicon-

ductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part17:Bulgetestmethodformeasuringmechani-

calpropertiesofthinfilms)

注微机电系统技术薄膜力学性能的鼓胀试验方法

:GB/T44919—2024(MEMS)(IEC62047-17:2015,IDT)

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

IEC60747-8、IEC62047-17。

31

.

柔性基板flexiblesubstrate

用于制备薄膜晶体管的柔性薄膜基板

注一种以聚酰亚胺或聚酯类等材料为基材制成的具有高可靠性优质挠性基板

:。

4试验样品

41通则

.

试验样品应在柔性基板上使用薄膜晶体管的制备工艺进行制备其制备工艺直接影响薄膜晶体管

,

的机械性能和电学性能在薄膜晶体管样品的制备过程中应防止出现裂纹缺陷和分层等缺陷

。,、。

42试验样品尺寸

.

试验样品尺寸大于测试腔体的开口面积即满足要求由于电学特性的变化与样品所受应变或应力

1

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