YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材

ICS77.150.30

H62

中华人民共和国有色金属行业标准

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YST8192012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

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2012-11-07发布2013-03-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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YST8192012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

1范围

、、、、、、

本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求试验方法检验规则和标志包装运输贮存质

()。

量证明书及合同或订货单内容

()。

本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材以下简称高纯铜靶

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

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GBT14265金属材料中氢氧氮碳和硫分析方法通则

GJB1580A变形金属超声检验方法

/铜及铜合金平均晶粒度测定方法

YST347

/溅射靶材背板结合质量超声波检测方法

YST837-

3要求

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3.1产品分类

:、、

高纯铜靶分类按照应用背景分为半导体布线用高纯铜靶半导体封装用高纯铜靶平板显示器用

高纯铜靶和太阳能电池用高纯铜靶。

3.2成分要求

,成分及杂质元素要求应符合表规定。

根据高纯铜溅射靶材的用途电子薄膜用高纯铜溅射靶材的1

表1高纯铜靶材化学成分表

牌号4N4N55N6N

Cu含量/%

99.9999.99599.99999.9999

不小于

Ag—2550.3

Al——0.50.1

As2050.50.02

-6

杂质含量/,

10

Bi20110.02

不大于

Ca——0.50.02

Cd—10.1—

Cl————

1

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YST8192012

()

表续

1

牌号4N4N55N6N

Cu含量/%

99.9999.99599.99999.9999

不小于

Co——0.3—

Cr——0.050.02

F11——

Fe30100.50.2

K———0.02

Mn100.50.1—

Na———0.02

Nb————

Ni10100.50.1

P330.10.02

-6

杂质含量/,

10

Pb1050.05—

不大于

S