GB/T 15909-1995 电子工业用气体 硅烷(SiH4)
GB/T 15909-1995 Gas for electronic industry—Silane
基本信息
发布历史
-
1995年12月
-
2009年10月
-
2017年05月
研制信息
- 起草单位:
- 化学工业部西南化工研究院、浙江大学材料系、中科院半导体研究所
- 起草人:
- 余京松、佘中玉
- 出版信息:
- 页数:8页 | 字数:13 千字 | 开本: 大16开
内容描述
中华人民共和国国家标准
GB/T15909一1995
电子工业用气体硅烷((SiH4)
Gasforelectronicindustry-Silane
1主题内容与适用范围
本标准规定了电子工业用硅烷气体的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存和安全
要求等。
本标准主要用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜
淀积等
分子式:SiH,
相对分子质量:32.117(按1991年国际相对原子质量)。
101.3kPa下的沸点:一112'C.
20'C和101.3kPa下气体密度:1.342kg/m',
一185C下液体密度:711kg/m'.
2引用标准
GB19。危险货物包装标志
(;B/T3051无机化工产品中氯化物含量测定的通用方法汞量法
GB/T5274气体分析校准用混和气体的制备称量法
(;B/T5832.1气体中微量水分的测定电解法
GB7144气瓶颜色标记
3技术要求
31质里指标
硅烷的质量应符合下表的要求。对硅烷中重金属和颗粒的要求由供方与用户商定。
项目指标
纯度:10。)99
一氧化碳和二氧化碳((一()+CO2),10-,(5
氛化物总量(包括抓硅烷,HC)等可离子化的抓化物),10-(100
烃(G-C,),10‘蕊40
氢(H)10“成9000
氮(N,).10“镇40
氧(()),10‘簇5
水(H,0),10‘成3
国家技术监督局1995门2一20批准1996一08一01实施
cs/T15909一1995
注:①表中纯度及杂质含量均以序尔分数表示mol/mol
②多晶硅或二氧化硅用途不规定氮含量。
3.2电性能规格
电阻率应大于100Sl"cm(N型),电阻率的测定方式由供方与用户商定。
4检验方法
4.1纯度
硅烷的纯度用摩尔分数表示,按式((1)计算,对于多晶硅或二氧化硅用途,不计入X_s(氮含量)
X=100一(X,+X2+X,+X,+X,+X‘十X7)X10-4
式中X—硅烷纯度(摩尔分数),10-2;
X—一氧化碳和二氧化碳(C0+C02)含量(摩尔分数),10-`;
X2-氯化物总量(摩尔分数),10-1;
X—烃(CI-C3)含量(摩尔分数),10一“;
X,氢(H2)含量(摩尔分数),10-6;
X,—氮(N2)含量(摩尔分数),10-`;
X,-氧(02)含量(摩尔分数),10-s;
X7—水(H2O)含量(摩尔分数),10-so
一氧化碳和二氧化碳含量的测定
:.:.,
仪器与方法
采用带有热导检测器或氦离子化检验器的气相色谱仪,也可采用色质联用仪测定硅烷中的一氧化
碳和二氧化碳。
方法检测极限(摩尔分数):1X1。一。
4.2.2操作条件
色谱柱:内装P.W.Carbosphere,长约2.4m,内径约4mm不锈钢柱,或其他等效色谱柱。
载气:高纯氦,流量约30mL/min,
进样量:3-5mL,
检测器温度:250'C.
色谱柱程序升温曲线:
初始温度:110,C,保持时间:4.50min;
程序升温速率:5-C/min;
终到温度:160'C,保持时间:6.00min,
4.2.3标样:以氦气为底气,含一氧化碳和二氧化
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