GB/T 47563-2026 微机电系统(MEMS)技术 MEMS磁场传感器技术规范

ICS1722020

CCSL.15.

中华人民共和国国家标准

GB/T47563—2026

微机电系统MEMS技术

()

MEMS磁场传感器技术规范

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—

y()gy

TechnicalspecificationofMEMSmagneticfieldsensor

2026-04-30发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47563—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号

4………………………2

分类

5………………………3

磁敏感轴方向

5.1………………………3

原理

5.2…………………4

测量磁场类型

5.3………………………4

输出信号类型

5.4………………………4

技术要求

6…………………4

基本要求

6.1……………4

电气要求

6.2……………5

性能要求

6.3……………6

环境适应性与可靠性

6.4………………7

试验方法

7…………………8

试验条件

7.1……………8

外观

7.2…………………9

电气试验

7.3……………9

性能试验

7.4……………10

环境适应性与可靠性试验

7.5…………15

附录资料性磁学量单位换算

A()………………………18

参考文献

……………………19

Ⅰ

GB/T47563—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的有些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出

(SAC/TC336)。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会和全国集成电路标准化技术委员会

(SAC/TC336)

共同归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电力科学研究院有限公司中机生产力促进中心有限公司北京智芯微电子

:、、

科技有限公司西安交通大学珠海多创科技有限公司苏州矩阵光电有限公司美的集团股份有限公

、、、、

司国家仪器仪表元器件质量检验检测中心宜昌测试技术研究所三桥惠佛山新材料有限公司苏州

、、、()、

捷研芯电子科技有限公司珠海芯森电子科技有限公司宁波泰丰源电气有限公司北京科技大学国网

、、、、

四川省电力公司营销服务中心宁波中车时代传感技术有限公司中国科学院上海微系统与信息技术研

、、

究所深圳市英唐智能控制股份有限公司广东润宇传感器股份有限公司浙江科丰传感器股份有限公

、、、

司山东国创微纳制造研究院有限公司

、。

本文件主要起草人王冠鹰李根梓葛俊刘明方东明胡忠强朱忻熊贵林于振毅罗慧

:、、、、、、、、、、

李福超龙克文程宇心梁先锋王志良王翌雪王建国和波潘琳斌闻小龙吕阳吴金根赵亚楠

、、、、、、、、、、、、、

关蒙萌陈浩刘栋果张波陆阳黄辉鞠登峰郭经红江丽娟阮炳权戴华键王建鲁

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T47563—2026

微机电系统MEMS技术

()

MEMS磁场传感器技术规范

1范围

本文件规定了磁场传感器的分类技术要求和试验方法

MEMS、。

本文件适用于线性磁场传感器的制造使用检验

MEMS、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验低温

GB/T2423.1—20082:A:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验交变湿热

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循环

12h)

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.5—20192:Ea:

环境试验第部分试验方法试验振动正弦

GB/T2423.10—20192:Fc:()

环境试验第部分试验方法试验温度变化

GB/T2423.22—20122:N:

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试

GB/T4937.2626:(ESD)

人体模型

(HBM)

传感器通用术语

GB/T7665

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

环境试验第部分试验试验和试验带引线器件的可焊性和耐焊

IEC60068-2-202-20:TaTb:

热性试验方法

(Environmentaltesting—Part2-20:Tests—TestTaandTb:Testmethodsforsolder-

abilityandresistancetosolderingheatofdeviceswithleads)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试带

IEC60749-2828:(ESD)

电器件模型器件级

(CDM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part28:

Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Chargeddevicemodel(CDM)—devicelevel]

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T7665GB/T26111。

31

.

MEMS磁场传感器MEMSmagneticfieldsensor

利用技术加工制作用于感应磁场强度或磁通密度磁感应强度的传感器

MEMS,()。

32

.

霍尔效应halleffect

在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁通密度之矢量积成正比的效应

。

1