GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
GB/T 32495-2016 Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
国家标准
中文简体
现行
页数:14页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2016-02-24
实施日期
2017-01-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束标准化技术委员会(SAC/TC 38)
适用范围
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3~2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50 nm及以上。
发布历史
-
2016年02月
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 起草人:
- 马农农、陈潇、何友琴、王东雪
- 出版信息:
- 页数:14页 | 字数:23 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS71.040.40
G04
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT324952016ISO124062010
表面化学分析二次离子质谱
硅中砷的深度剖析方法
——
SurfacechemicalanalsisSecondar-ionmasssectrometr
yypy
Methodfordethrofilinofarsenicinsilicon
ppg
(:,)
ISO124062010IDT
2016-02-24发布2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—/:
GBT324952016ISO124062010
目次
前言…………………………Ⅰ
引言…………………………Ⅱ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4符号和缩略语……………1
5原理………………………2
6参考物质…………………2
6.1用于校准相对灵敏度因子的参考物质……………2
6.2用于校准深度的参考物质…………2
7仪器………………………2
7.1二次离子质谱仪……………………2
7.2触针式轮廓仪………………………2
7.3光学干涉仪…………………………2
8样品………………………2
9步骤………………………2
9.1二次离子质谱仪的调整……………2
9.2优化二次离子质谱仪的设定………………………3
9.3进样…………………3
9.4被测离子……………3
9.5样品检测……………4
9.6校准…………………4
10结果表述…………………5
11测试报告…………………5
()…………………
附录资料性附录硅中砷深度剖析巡回测试报告
A
定制服务
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