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GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

国家标准 中文简体 现行 页数：11页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41765-2022
相关服务
商用授权
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-05-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

发布历史

文前页预览

GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法-第1页
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法-第2页
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法-第3页

研制信息

起草单位：
北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人：
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
出版信息：
页数：11页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT417652022

碳化硅单晶位错密度的测试方法

Testmethodfordislocationdensitofmonocrstallinesiliconcarbide

yy

2022-10-12发布2023-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT417652022

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术

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