适用范围：本文件规定了智能设备用电源管理芯片的技术要求、性能参数要求、可靠性要求、封装与引脚要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于智能手机、平板电脑、智能可穿戴设备（如智能手表、手环、AR/VR眼镜）、物联网终端模块、智能家居控制器等由电池供电的便携式及固定式智能终端设备

适用范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

适用范围：本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制

适用范围：本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构。 本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构