19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 被代替
    译:GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 被代替
    译:GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 被代替
    译:GB/T 14847-1993 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 被代替
    译:GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 被代替
    译:GB/T 14142-1993 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H26金属无损检验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 13789-1992 单片电工钢片带磁性能测量方法 被代替
    译:GB/T 13789-1992 Magnetic sheet and strip—Methods of measurement of magnetic properties by means of a single sheet tester
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.040.10绝缘油 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-11-16 | 实施时间: 1993-06-01
  • GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 被代替
    译:GB/T 13389-1992 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-02-19 | 实施时间: 1992-10-01
  • GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 被代替
    译:GB/T 13388-1992 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-02-19 | 实施时间: 1992-10-01
  • GB/T 5026-1985 软磁合金振幅磁导率测量方法 被代替
    译:GB/T 5026-1985 The measurement method of amplitude permeability of soft magnetic alloys
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.040.10绝缘油 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1985-03-28 | 实施时间: 1986-01-01