适用范围：主要技术内容:本文件规定了复膜铁（复膜金属板）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等

适用范围：本文件规定了如何报告X射线光电子能谱的峰拟合及其结果。本文件适用于单个谱图或一组相关谱图的拟合，例如在深度剖析测试中采集获得的一组相关谱图。本文件提供了一个应报告的参数列表，以实现可重复的峰拟合或对多个谱进行拟合与比较。本文件不提供峰拟合的操作说明，也不提供应采用的拟合步骤。

适用范围：本文件规定了俄歇电子能谱仪动能能量标不确定度为3 eV时的校准方法，用于识别表面常规元素。另外，本文件还规定了一种用于确定校准周期的方法。本文件适用于直接模式或微分模式的仪器分辨率小于或等于0.5%，微分模式调制幅度的峰值为 2 eV，配有惰性气体离子枪或其他样品清洁方法，具有4 keV或更高束能电子枪的谱仪。

适用范围：本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导，包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。

适用范围：本文件界定了电子探针显微分析（EPMA)实践中使用的术语，包括一般概念的术语和按仪器、分析方法分类的特定概念的术语。本文件适用于相关领域(SEM、AEM、EDX等)的所有标准和实践文件中通用术语的定义。

适用范围：本文件规定了使用安装在电子探针（EPMA）或扫描电镜（SEM）上的能谱仪（EDS）或波谱仪（WDS）分析粉末中的颗粒时的试样制备方法。根据分析目的和颗粒尺寸，对粉末颗粒试样的制备方法进行了分类。 本文件适用于粒径范围在100 nm~100 μm的无机物颗粒。 本文件不适用于一些特殊应用，如法医分析或痕量分析。

适用范围：本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

适用范围：本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。 本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。 本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。 注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。