• SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分:二极管 现行
    译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • T/QGCML 097-2021 二极管扩散片包装技术规范 废止
    译:T/QGCML 097-2021 Diode Diffusion Film Packaging Technical Specification
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了二极管扩散片包装的工艺流程,一般要求,检验,标识。本文件适用于镀镍片、扩散片的包装技术规范
    【国际标准分类号(ICS)】 :55.020货物的包装和调运综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-03-30 | 实施时间: 2021-03-31
  • SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11767-2020 SJ/T 11767-2020 Diode Low Frequency Noise Parameter Test Method
    适用范围:适用于二极管1 Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • T/QGCML 030-2020 二极管扩散片常规电性标准 废止
    译:T/QGCML 030-2020
    适用范围:主要技术内容:本标准规定了二极管扩散片常规电性的相关术语和定义,规定了成品二极管的前段流程即扩散片流程的常规参数执行标准。本标准适用于二极管扩散厂家,包含了常规电性:反向击穿电压、正向导通压降、反向恢复时间、反向漏电流、扩散片芯片厚度
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-08-12 | 实施时间: 2020-08-27
  • T/CIECCPA 003-2019 绿色生产加工规范 发光二极管 现行
    译:T/CIECCPA 003-2019
    适用范围:主要技术内容:本标准涉及的产品制造范围主要应用在LED原材料节约的生产加工过程,通过建立原材料节约的生产加工标准,可以对原材料进行二次回收利用,如在焊接工艺中,利用合金线比如银铜线代替金线达到优化用材的目的,铜价格便宜,提炼方法采用氧化还原及电解精炼,对环境影响较少。在点胶过程中,独特的荧光粉配方以及荧光粉“悬浮”技术,可使白光LED发光颜色均匀性好并具有高发光效率;在设备方面,使用高速固晶机、高速球焊机、自动配胶机与高速脱泡搅拌机、高速切割机、高速测试分选机、高速测试分选机、高速编带等设备增加加工精度、降低产品不良率。通过采用高性能设备提高劳动生产率、缩减生产占地面积、提高原&辅料使用率,降低产品不良率,节约原材料及能耗;达到原材料节约的生产加工目的,非常适合用于电子产品制造领域,因此该标准的建立,能够全面提升LED封装行业的企业绿色制造化水平
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2019-12-31 | 实施时间: 2020-01-01
  • T/CSA 047-2019 发光二极管热阻抗测试方法 现行
    译:T/CSA 047-2019
    适用范围:范围:本标准规定了一种用于发光二极管(LED)或LED阵列的热特性的电学法热阻测试方法。 本标准适用于直流方式供电的LED,且无自发热的条件下,待测LED的正向电压应与环境温度呈明显线性关系。 本标准适用于实验室环境和小批量的单颗LED和一定结构的LED阵列(包括LED的串联、并联、混联)的稳态和瞬态条件下热阻和结温的测试。 本标准不适用于激光二极管的热阻和结温测试; 主要技术内容:本标准规定了一种用于发光二极管(LED)或LED阵列的热特性的电学法热阻测试方法。本标准适用于直流方式供电的LED,且无自发热的条件下,待测LED的正向电压应与环境温度呈明显线性关系。本标准适用于实验室环境和小批量的单颗LED和一定结构的LED阵列(包括LED的串联、并联、混联)的稳态和瞬态条件下热阻和结温的测试。本标准不适用于激光二极管的热阻和结温测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.140.99有关灯的其他标准 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2019-12-30 | 实施时间: 2019-12-30
  • DB52/T 860-2013 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 废止
    译:DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间: 2013-12-06 | 实施时间: 2014-02-01
  • DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范 废止
    译:DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间: 2013-12-06 | 实施时间: 2014-02-01
  • GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 现行
    译:GB/T 21039.1-2007 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification
    适用范围:本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列国家标准一起使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2007-06-29 | 实施时间: 2007-11-01
  • GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范 现行
    译:GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2002-12-04 | 实施时间: 2003-05-01
  • GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 现行
    译:GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2000-10-17 | 实施时间: 2001-10-01
  • GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 被代替
    译:GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-10-07 | 实施时间: 1998-09-01
  • SJ/T 10992-1996 电子元器件详细规范 2CW412~473型硅电压调整二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10992-1996 Detail specification for electronic components--Silicon voltage regulator diodes, Type 2CW412~473
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10978-1996 电子元器件详细规范 2CC21、2CC26型硅调谐变容二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10978-1996 Detail specification for electronic components--Silicon tuning variable capacitance diodes,Type 2CC21 and 2CC26 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10981-1996 电子元器件详细规范 2CC24、2CC29型硅调频变容二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10981-1996 Detail specification for electronic components--Silicon frequency modulated variable capacitance diodes,Types 2CC24 and 2CC29 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10979-1996 电子元器件详细规范 2CC22、2CC27型硅调谐变容二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10979-1996 Detail specification for electronic components--Silicon turing variable capacitance diodes,Types 2CC22 and 2CC27 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10977-1996 电子元器件详细规范 2CK111、2CK112、2CK113型硅开关二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10977-1996 Detail specification for electronic components--Silicon switching diodes,Types 2CK111 2CK112 and 2CK113 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10993-1996 电子元器件详细规范 2CW380~411型硅电压调整二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10993-1996 Detail specification for electronic components--Silicon voltage regulator diodes,Type 2CW380~411 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10980-1996 电子元器件详细规范 2CC23、2CC28型硅调谐变容二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10980-1996 Detail specification for electronic components--Silicon turing variable capacitance diodes,Types 2CC23 and 2CC28 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
  • SJ/T 10982-1996 电子元器件详细规范 2CC25、2CC30型硅频段转换变容二极管(可供认证用) 废止
    译:SJ/T 10982-1996 Detail specification for electronic components--Silicon band switching variable capacitance diodes,Type 2CC25 and 2CC30 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01