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  • SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 现行
    SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
    译：SJ/T 2658.16-2016 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 16: Photovoltaic Efficiency
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-01-15 | 实施时间： 2016-06-01
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  • SJ/T 11580-2016 普通照明用LED模块（LED部件）接口规则 现行
    SJ/T 11580-2016 普通照明用LED模块（LED部件）接口规则
    译：SJ/T 11580-2016 LED module (LED component) interface specification for general lighting purposes
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-01-15 | 实施时间： 2016-06-01
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  • SJ/T 11579-2016 LED模块接口规则 现行
    SJ/T 11579-2016 LED模块接口规则
    译：SJ/T 11579-2016 SJ/T 11579-2016 LED Module Interface Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-01-15 | 实施时间： 2016-06-01
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  • SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南 现行
    SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南
    译：SJ/T 11577-2016 SJ/T 11577-2016 and SJ/T 11394-2009 "Semiconductor Light-Emitting Diode Test Method" Application Guide
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-01-15 | 实施时间： 2016-06-01
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  • SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法 现行
    SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法
    译：SJ/T 2749-2016 SJ/T 2749-2016 Semiconductor laser diode test method
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-01-15 | 实施时间： 2016-06-01
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  • SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 现行
    SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
    译：SJ/T 2658.1-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 1: General Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 现行
    SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
    译：SJ/T 2658.4-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 4: Total Capacitance
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 现行
    SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
    译：SJ/T 2658.10-2015 SJ/T 2658.10-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 10: Modulation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 现行
    SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流
    译：SJ/T 2658.3-2015 SJ/T 2658.3-2015 Semiconductor infrared emitting diode measurement methods Part 3: Reverse voltage and reverse current
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 现行
    SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
    译：SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 现行
    SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
    译：SJ/T 2658.5-2015 SJ/T 2658.5-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 5: Series Resistance
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 现行
    SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
    译：SJ/T 2658.12-2015 SJ/T 2658.12-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 12: Peak Emission Wavelength and Spectral Radiation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 现行
    SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
    译：SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 现行
    SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
    译：SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 现行
    SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
    译：SJ/T 2658.7-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 7: Radiant Flux
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 现行
    SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
    译：SJ/T 2658.8-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 8: Radiant Intensity
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 现行
    SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间
    译：SJ/T 2658.11-2015 Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes - Part 11: Response time
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 现行
    SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
    译：SJ/T 2658.2-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 2: Forward Voltage。
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则 现行
    SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则
    译：SJ/T 11485-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范 现行
    SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范
    译：SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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