• SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则 现行
    译:SJ/T 11485-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范 现行
    译:SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11458-2013 液晶显示背光组件用LED性能规范 现行
    译:SJ/T 11458-2013 Performance specifications for LEDs used in liquid crystal display backlight assembly
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2013-10-17 | 实施时间: 2013-12-01
  • DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片 现行
    译:DB35/T 1193-2011 Semiconductor light-emitting diode chip
    适用范围:本标准规定了半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2011-10-28 | 实施时间: 2012-02-15
  • DB35/T 1176-2011 道路照明用功率发光二极管 废止
    译:DB35/T 1176-2011 Power-emitting light-emitting diodes for road lighting
    适用范围:本标准规定了LED道路、隧道照明用功率发光二极管的要求、试验方法、检验规则和包装贮存运输 要求。 本标准适用于LED 道路、隧道照明用1W 功率发光二极管(仅适应于蓝光LED 芯片激发荧光粉形 成的白光LED)。其他功率的功率发光二极管可参照执行。 室内照明用功率发光二极管可参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2011-09-23 | 实施时间: 2011-12-23
  • JB/T 10875-2008 发光二极管光学性能测试方法 废止
    译:JB/T 10875-2008 LED optical performance testing method (JBT 10875-2008)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 2008-06-04 | 实施时间: 2008-11-01
  • SJ 50033/6-1994 半导体分立器件 GP和GT级GF411型半导体绿色发光二极管详细规范 现行
    译:SJ 50033/6-1994 Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor green light emitting diodes for type GF411 of GP and GT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-09-30 | 实施时间: 1994-12-01
  • SJ 20046-1992 便携式非金属地雷探测器通用规范 现行
    译:SJ 20046-1992 General specification for portable non-metallic mine detectors
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
  • SJ 2354.12-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法 废止
    译:SJ 2354.12-1983 Method of measurement for temperature factor of reverse breakdown voltage of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.11-1983 PIN、雪崩光电二极管列阵音区宽度的测试方法 废止
    译:SJ 2354.11-1983 Method of measurement for width of blind zone of PIN and avalanche photodiode matrix
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.3-1983 PIN、雪崩光电二极管暗电流的测试方法 废止
    译:SJ 2354.3-1983 Method of measurement for dark current of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.4-1983 PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法 废止
    译:SJ 2354.4-1983 Method of measurement for forward voltage drop of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.8-1983 PIN、雪崩光电二极管脉冲上升、下降时间的测试方法 废止
    译:SJ 2354.8-1983 Method of measurement for pulse rise time and fall time of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法 废止
    译:SJ 2354.2-1983 Method of measurement for reverse break-down voltage of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.1-1983 PIN、雪崩光电二极管光电参数测试方法 总则 废止
    译:SJ 2354.1-1983 General procedures of measurement for electrical and optical parameters of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.10-1983 PIN、雪崩光电二极管列阵串光因子的测试方法 废止
    译:SJ 2354.10-1983 Method of measurement for cross-light factor of PIN and avalanche photodiodes matrix
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.6-1983 PIN、雪崩光电二极管响应度的测试方法 废止
    译:SJ 2354.6-1983 Method of measurement for responsivity of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.5-1983 PIN、雪崩光电二极管电容的测试方法 废止
    译:SJ 2354.5-1983 Method of measurement for capacitance of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.13-1983 PIN、雪崩光电二极管倍增因子的测试方法 废止
    译:SJ 2354.13-1983 Method of measurement for multiplication factor of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01
  • SJ 2354.9-1983 PIN、雪崩光电二极管噪声等效功率的测试方法 废止
    译:SJ 2354.9-1983 Method of measurement for noise equivalent power of PIN and avalanche photodiodes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1983-08-15 | 实施时间: 1984-07-01