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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

GB/T 34481-2017 Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

国家标准 中文简体 现行 页数：5页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 34481-2017
相关服务
商用授权
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H25 金属化学性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2017-10-14
实施日期
2018-07-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

发布历史

文前页预览

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法-第1页
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法-第2页
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法-第3页

研制信息

起草单位：
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
起草人：
惠峰、普世坤、董汝昆
出版信息：
页数：5页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

H25

中华人民共和国国家标准

/—

GBT344812017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

()的测量方法

EPD

()

TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit

gpyy

monocrstallineermaniumslices

yg

2017-10-14发布2018-07-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT344812017

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