GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 34481-2017 Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
国家标准
中文简体
现行
页数：5页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2017-10-14
实施日期
2018-07-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
发布历史
-
2017年10月
研制信息
- 起草单位：
- 云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
- 起草人：
- 惠峰、普世坤、董汝昆
- 出版信息：
- 页数：5页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H25
中华人民共和国国家标准
/—
GBT344812017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度
()的测量方法
EPD
()
TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit
gpyy
monocrstallineermaniumslices
yg
2017-10-14发布2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT344812017
定制服务
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