GB/T 48209-2026 半导体器件封装用梯度材料外壳设计要求
GB/T 48209-2026 Design requirements for gradient material packages of semiconductor devices
基本信息
本文件适用于半导体器件封装用金属基梯度材料外壳(以下简称“外壳”)的设计和制造。
发布历史
-
2026年09月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子科技集团有限公司第二十九研究所、南京瑞为新材料科技有限公司、哈尔滨工业大学、有研金属复合材料(北京)股份公司、哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司、成都瑞雪丰泰精密电子股份有限公司、西南交通大学、中国电子技术标准化研究院、深圳市联润丰电子科技有限公司、深圳市先进连接科技有限公司、日照旭日电子有限公司、宁波赛墨科技有限公司、西安赛尔电子材料科技有限公司、中国电子科技集团公司第十四研究所、中国电子科技集团公司第三十八研究所、中国航天科技集团有限公司第五研究院西安分院、北京无线电测量研究所
- 起草人:
- 崔西会、方杰、王长瑞、邢大伟、刘旭奕、张坤、刘彦强、赵永红、赵明、林阳荟晨、李文、廖玉堂、于慧慧、陈静青、黎康杰、贾斌、彭颐豫、黄梓泓、吴昊、刘婉莹、马洪兵、王宇飞、操卫忠、王传伟、李斌、翁俊
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:15 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31200
CCSL.56
中华人民共和国国家标准
GB/T48209—2026
半导体器件封装用梯度材料
外壳设计要求
Designrequirementsforgradientmaterialpackagesofsemiconductordevices
2026-09-28发布2027-04-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T48209—2026
目次
前言
…………………………Ⅲ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
设计程序
4…………………2
设计要求
5…………………2
设计验证
6…………………6
Ⅰ
GB/T48209—2026
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口
(SAC/TC599)。
本文件起草单位中国电子科技集团有限公司第二十九研究所南京瑞为新材料科技有限公司
:、、
哈尔滨工业大学有研金属复合材料北京股份公司哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司成都瑞雪
、()、、
丰泰精密电子股份有限公司西南交通大学中国电子技术标准化研究院深圳市联润丰电子科技有限
、、、
公司深圳市先进连接科技有限公司日照旭日电子有限公司宁波赛墨科技有限公司西安赛尔电子材
、、、、
料科技有限公司中国电子科技集团公司第十四研究所中国电子科技集团公司第三十八研究所中国
、、、
航天科技集团有限公司第五研究院西安分院北京无线电测量研究所
、。
本文件主要起草人崔西会方杰王长瑞邢大伟刘旭奕张坤刘彦强赵永红赵明林阳荟晨
:、、、、、、、、、、
李文廖玉堂于慧慧陈静青黎康杰贾斌彭颐豫黄梓泓吴昊刘婉莹马洪兵王宇飞操卫忠
、、、、、、、、、、、、、
王传伟李斌翁俊
、、。
Ⅲ
GB/T48209—2026
半导体器件封装用梯度材料
外壳设计要求
1范围
本文件规定了半导体器件封装用金属基梯度材料外壳通用设计材料设计结构设计表面处理设
、、、
计和图纸绘制要求
。
本文件适用于半导体器件封装用金属基梯度材料外壳以下简称外壳的设计和制造
(“”)。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
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集成电路术语
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膜集成电路和混合膜集成电路术语
GB/T12842
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GB/T16865、
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金属基复合材料术语
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高体积分数碳化硅颗粒铝基复合材料
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3术语和定义
和界定的以及下列术语适用于本文件
GB/T9178、GB/T12842GB/T34558。
31
.
金属基梯度材料metalgradientmaterial
将不同的金属或金属基复合材料制成界面连续成分性能和功能呈梯度变化的一种非均质材料
,、。
32
.
梯度材料外壳gradientmaterialpackage
由金属基梯度材料所制备的外壳
。
1
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