GB/T 44775-2024 集成电路三维封装 芯片叠层工艺过程和评价要求

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T44775—2024

集成电路三维封装

芯片叠层工艺过程和评价要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementfordiestackprocessandevaluation

2024-10-26发布2025-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44775—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般要求

4…………………1

设备仪器和工装夹具

4.1、………………1

材料

4.2…………………2

注意事项

4.3……………2

详细要求

5…………………2

环境

5.1…………………2

典型工艺流程

5.2………………………3

工艺准备

5.3……………4

待叠层芯片确认

5.4……………………5

引线键合类芯片叠层工艺

5.5…………5

倒装类芯片叠层工艺

5.6………………7

标识转运贮存

5.7、、……………………8

记录

5.8…………………8

评价要求

6…………………8

引线键合类芯片叠层工艺的评价要求

6.1……………8

倒装类芯片叠层工艺的评价要求

6.2…………………13

Ⅰ

GB/T44775—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十八研究所神州龙芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世伟高娜燕肖汉武帅喆黄海林肖隆腾何慧颖

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44775—2024

集成电路三维封装

芯片叠层工艺过程和评价要求

1范围

本文件规定了集成电路三维封装中使用引线键合工艺及倒装工艺进行的芯片叠层工艺过程和评价

要求

。

本文件适用于集成电路三维封装中使用引线键合及倒装工艺进行叠层的电路

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

洁净室及相关受控环境第部分控粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

集成电路倒装焊试验方法

GB/T35005—2018

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

芯片堆叠diestack

将包含两层或多层有源电子器件的芯片水平集成在一个电路里

。

4一般要求

41设备仪器和工装夹具

.、

叠层工艺所需设备仪器应定期进行鉴定和校准工装夹具应完好无损洁净规格尺寸应与工艺要

。、,

求相适应常用设备仪器及工装夹具见表所示

,1。

表1常用设备仪器及工装夹具

序号名称主要技术要求用途

贴片机装片精度XY不超过旋转小于或等于点胶装片工艺

1:20μm,0.5°、

热压焊机温度压力范围可调用于倒装芯片互连

2、

固化炉温度误差不超过时间误差不超过胶材料固化

310℃;30min5s

回流炉温度可调焊膏焊接及胶水固化

4

清洗机清洗后芯片表面无助焊剂残留清洗倒装芯片助焊剂

5

低倍显微镜满足镜检使用要求装片后外观检验

6

1