DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法

ICS31.080

CCSL40

13

河北省地方标准

DB13/T5695—2023

GaNHEMT射频器件陷阱效应测试方法

2023-05-06发布2023-06-06实施

河北省市场监督管理局发布

DB13/T5695—2023

目次

前言...............................................................................II

引言..............................................................................III

1范围.............................................................................1

2规范性引用文件...................................................................1

3术语和定义.......................................................................1

4测试原理.........................................................................2

5测试环境.........................................................................2

6测试系统.........................................................................2

7测试步骤.........................................................................3

8试验数据处理.....................................................................4

9试验报告.........................................................................4

参考文献............................................................................6

I

DB13/T5695—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由石家庄市市场监督管理局提出。

本文件起草单位：河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科

技股份有限公司。

本文件主要起草人：卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、

陈勇。

本文件为首次发布。

II

DB13/T5695—2023

引言

GaNHEMT射频器件由于表面效应、缺陷及杂质等影响，使GaNHEMT中广泛存在的表面陷阱电荷

及体陷阱电荷，俘获电子形成虚栅，对沟道二维电子气（2DEG）、电子迁移率产生影响引起电流退

化，进而引起器件电流及功率性能恶化。此现象即为陷阱效应，且普遍存在于GaNHEMT射频器件中。

陷阱效应对器件的性能及可靠性存在重大影响，在民用通信领域，由于栅压脉冲供电条件下的陷阱

效应现象更为明显，导致器件及整机的线性差、效率低、耗能提升、失效率提升等问题，影响运营

商的电力成本及用户通信的清晰度及连贯度。因此在选用GaNHEMT射频器件时宜评估器件的陷阱效

应特性，达到控制器件及整机系统稳定性的目的。特制订本文件。

III