19 试验
65 农业
77 冶金
  • T/CNMN 156-2026 半导体用多区域透光率动态调节掩模版技术规范 现行
    译:T/CNMN 156-2026 Technical specifications for multi-region light transmittance dynamic adjustment mask for semiconductors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-14 | 实施时间: 2026-07-14
  • GB/T 47767-2026 微机电系统(MEMS)技术 压电微悬臂梁机电转换特性的测试方法 即将实施
    译:GB/T 47767-2026 Micro-electromechanical systems technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of piezoelectric MEMS cantilever
    适用范围:微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构,为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试,适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47752-2026 微机电系统(MEMS)技术 柔性微机电器件循环弯曲变形后电气特性测试方法 即将实施
    译:GB/T 47752-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Test method of electrical characteristics after cyclic bending deformation for flexible micro-electromechanical devices
    适用范围:本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm~300 mm,厚度通常为10 μm~1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图(三维P-S-N图),在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47667-2026 柔性直流输电换流阀用旁路晶闸管 即将实施
    译:GB/T 47667-2026 Bypass thyristors of converter valves for high-voltage direct current power transmission using voltage sourced converters
    适用范围:本文件界定了柔性直流输电换流阀用旁路晶闸管的术语,规定了额定值(极限值)和特性要求以及标志、包装、贮存,描述了例行试验和型式试验的方法。 本文件适用于柔性直流输电换流阀子模块用旁路晶闸管,其他电压源电力电子设备用旁路晶闸管参考使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.20晶体闸流管 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47768-2026 微机电系统(MEMS)技术 玻璃浆料键合强度的微型V形试验(MCT)测量方法 即将实施
    译:GB/T 47768-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Bond strength test for glass frit bonded structures using micro-chevron-tests(MCT)
    适用范围:本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验(MCT)测量方法,描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件,提供了对偏离试件几何形状的设计指导。 微型V形试验是在规定的载荷条件下(I型张开型裂纹),利用专门设计的试验芯片(微型V形试件)确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性(KIC),具有一致性好的特点。 图1为微型V形试验装置示例。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47749-2026 微机电系统(MEMS)技术 微机电固态材料线性热膨胀系数测试方法 即将实施
    译:GB/T 47749-2026 Micro-electromechanical system (MEMS) technology—Test method for coefficient of linear thermal expansion of micro-electromechanical solid-state material
    适用范围:本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。 本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm,温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2026-11-01
  • T/SZECC 006-2026 碳化硅(SiC)功率半导体可靠性测试方法 现行
    译:T/SZECC 006-2026 The reliability testing method for power semiconductors made of silicon carbide (SiC)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
  • T/CASAS 061-2026 SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法 现行
    译:T/CASAS 061-2026 Partial discharge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power module
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
  • T/CMEEEA 268-2026 电子皮肤柔性传感器 现行
    译:T/CMEEEA 268-2026 Flexible sensor of electronic skin
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-11 | 实施时间: 2026-07-10
  • T/TMAC 417-2026 中束流离子注入机能量精度控制技术规范 现行
    译:T/TMAC 417-2026
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L97加工专用设备
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-01 | 实施时间: 2026-06-01
  • T/CAEE 067-2026 光刻胶去除工艺技术成熟度评价规范 现行
    译:T/CAEE 067-2026 Evaluation specification for maturity of photoresist removal process technology
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-27 | 实施时间: 2026-05-27
  • T/CAEE 066-2026 光刻胶剥离液 现行
    译:T/CAEE 066-2026 Photoresist stripper
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-27 | 实施时间: 2026-05-27
  • T/CASMES 695-2026 高精度热电温控系统通用技术规范 现行
    译:T/CASMES 695-2026 General technical specification for high-precision thermoelectric temperature control systems
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-26 | 实施时间: 2026-05-31
  • T/NMRJ 080-2026 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)状态检测技术要求 现行
    译:T/NMRJ 080-2026 Technical requirements for condition detection of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-18 | 实施时间: 2026-05-18
  • T/NMRJ 096-2026 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)使用失效率预测指南 现行
    译:T/NMRJ 096-2026 Insulated gate bipolar transistor (IGBT) failure rate prediction guide
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-18 | 实施时间: 2026-05-18
  • GB/T 4023.3-2026 半导体分立器件 第3部分:信号、开关和调整二极管 即将实施
    译:GB/T 4023.3-2026 Discrete semicondutor devices—Part 3:Signal,switching and regulator diodes
    适用范围:本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号,符号,基本额定值和特性,测试方法,接收和可靠性要求。 本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括: --信号二极管(不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管); --开关二极管(不包括大功率整流二极管); --电压调整二极管; --电压基准二极管; --电流调整二极管。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 45716.1-2026 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 即将实施
    译:GB/T 45716.1-2026 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
    适用范围:本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。 本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 46567.2-2026 智能计算 忆阻器测试方法 第2部分:线性度 即将实施
    译:GB/T 46567.2-2026 Intelligent computing—Test method for memristor—Part 2:Linearity
    适用范围:本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时,电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 15651.4-2026 半导体器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器 即将实施
    译:GB/T 15651.4-2026 Semiconductor devices—Part 5-4:Optoelectronic devices—Semiconductor lasers
    适用范围:本文件规定了半导体激光器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L51激光器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 20521.1-2026 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器 传感器总规范 即将实施
    译:GB/T 20521.1-2026 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—Generic specification for sensors
    适用范围:本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L15敏感元器件及传感器
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01