适用范围：本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时，电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

适用范围：本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号，符号，基本额定值和特性，测试方法，接收和可靠性要求。 本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括： --信号二极管（不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管）； --开关二极管（不包括大功率整流二极管）； --电压调整二极管； --电压基准二极管； --电流调整二极管。

适用范围：本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。 本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。

适用范围：本文件规定了半导体激光器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。

适用范围：本文件规定了微波二极管和晶体管的术语和定义、基本额定值和特性、测试方法及验证方法等产品特定要求。 本文件适用于以下各类微波二极管和晶体管: ———变容二极管(用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等); ———阶跃二极管(用于梳状谱发生器、倍频器等); ———混频二极管(用于混频器等); ———检波二极管(用于检波器等); ———体效应二极管(用于振荡器、放大器等); ———PIN二极管(用于开关、限幅器、移相器、衰减器等); ———噪声二极管(用于固态噪声源等); ———双极型晶体管(用于放大器、振荡器); ———场效应晶体管(用于放大器、振荡器)。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。 本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件（以下简称“器件”）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。

适用范围：本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管，信号、开关和调整二极管，晶闸管，双极型晶体管，场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。

适用范围：本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。 本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集成电路的通用要求(见附录A)。 注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。

适用范围：本文件适用于硅晶圆及化合物半导体晶圆进行自动化明场光学缺陷检测设备。 本文件规定了全自动明场光学晶圆缺陷检测设备技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容

适用范围：本文件适用于硅晶圆及化合物半导体晶圆对微米级及亚微米级表面缺陷进行自动化暗场检测的设备。 本文件规定了高精度暗场扫描式晶圆缺陷检测设备的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。