适用范围：本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

适用范围：本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

适用范围：本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

适用范围：本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。 双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。

适用范围：本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

适用范围：范围:本文件规定了单片集成相干光接收器芯片（以下简称“接收芯片”）的工作条件与接口特性、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本产品基于互补金属氧化物半导体工艺，适用于128 GBaud的相干传输传感系统，主要应用于电信通信领域; 主要技术内容:本文件规定了单片集成相干光接收器芯片（以下简称“接收芯片”）的工作条件与接口特性、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本产品基于互补金属氧化物半导体工艺，适用于128 GBaud的相干传输传感系统，主要应用于电信通信领域

适用范围：范围:本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于芯片制造用离子注入设备; 主要技术内容:本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于芯片制造用离子注入设备

适用范围：范围:本文件适用于各类工业自动化、手工焊机、新能源发电、电动汽车、家电等领域使用的功率集成模块（PIM）; 主要技术内容:本文件规定了功率集成模块（PIM）的术语和定义、文字符号、产品概述、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存的要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了检测车规级功率半导体模块动态特性的双脉冲测试和短路测试的平台、方法和数据处理的要求。本文件适用于车规级IGBT和二极管功率半导体模块，SiC MOSFET和GaN等芯片封装而成的车规级功率模块也可参考本文件

适用范围：范围:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行

适用范围：范围:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体功率芯片的散热系统; 主要技术内容:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体功率芯片的散热系统

适用范围：范围:本文件适用于没有经过喷漆或电镀的半导体设备零配件的清洗; 主要技术内容:本文件规定了半导体设备零配件清洗的一般要求、表面处理、化学清洗、外观面检验、标识、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件

适用范围：范围:本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等; 主要技术内容:本文件规定汽车用射频前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技术要求和试验方法。本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等