适用范围：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

适用范围：范围:本文件适用于半导体器件加工; 主要技术内容:本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等

适用范围：本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

适用范围：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

适用范围：本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

适用范围：主要技术内容:X射线实时成像技术是一种由X射线接收装置和监视器来代替传统射线照相中的胶片得到X射线图像的无损检测技术。使用X射线接收装置将不可见的X射线转换为数字或模拟信号，经图像成像及处理后呈现在显示器上。利用X射线穿透不同物质时呈现出不同程度衰减的原理，在X射线图像中显示出明暗度差异。图像处理系统克服因为X射线源和X射线探测器不同及焊接层材料密度不同、厚度不均等原因导致的图像明暗度有差异，图层不好分割的困难，将图像分割为焊盘和空洞两个图层。图像处理系统计算出空洞图层中空洞面积与焊盘图层中焊盘面积的比值，即焊接层的空洞率，达到DBC基板一次焊接和二次焊接层焊接质量检测的目的

适用范围：主要技术内容:本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用于光电耦合器件（以下简称器件）可靠性评价的低频噪声参数、评价方法及方法应用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了单个芯片以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等）芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片的通用和专用封装产品提供了操作指导。本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片的长期贮存

适用范围：范围:本文件规定了UVC-LED杀菌芯片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于倒装结构的UVC-LED杀菌芯片的生产和检验; 主要技术内容:4 技术要求4.1 外观质量4.2 结构和材质4.3 外形尺寸4.4 光电特性4.5 光电参数的范围要求4.6 绝对最大额定值4.7 环境适应性5 试验方法5.1 试验条件5.2 外观质量5.3 外形尺寸5.4 光电特性5.5 环境适应性6 检验规则6.1 检验分类6.2 组批6.3 重新提交6.4 筛选6.5 鉴定检验6.6 质量一致性检验6.7 样品的处理6.8 不合格判定7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志7.2 包装7.3 运输7.4 贮存

适用范围：本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

适用范围：本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

适用范围：本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车电驱动用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电动汽车电驱动系统中使用的碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电动汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的设计、生产和应用

适用范围：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

适用范围：本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)LED器件；b)LED平面发光器件；c)LED数字显示和字母数字显示；d)显示用点阵LED；e)红外发射二极管（IR LED）；f)紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。