适用范围：主要技术内容:本文件规定了单色Micro LED的光学特性测试方法

适用范围：主要技术内容:本文件规范规定了高性能数据备份与恢复系统技术的术语和定义、技术要求和测试要求。本文件规范适用于对高性能数据备份与恢复系统技术产品的研制、生产、测试以及评估与认证

适用范围：本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构，并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm～100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm～150 μm、深宽比为0.006 7～20。棱锥式针结构具有三个或四个面，其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大，并且外轮廓尺寸可包含于边长为100 μm的立方体内。 本文件适用于MEMS结构设计和MEMS结构加工后的几何形状评估。

适用范围：本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

适用范围：本文件规定了空间行波管加速寿命试验及基于此试验的寿命评估技术规范。 本文件适用于空间行波管的寿命评估。

适用范围：本文件规定了紫外发光二极管光谱辐射分布和光谱辐射照度测评的操作要求和操作步骤。 本文件适用于测评紫外线辐射峰值波长200 nm～410 nm的发光二极管。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了LED芯片的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于LED芯片的生产和检验

适用范围：范围:本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）; 主要技术内容:3.1开通延时  opening delay驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。3.2关断延时  turn-off delay驱动器输入PWM信号下降沿90%传输至门极输出信号下降沿90%所需的时间。3.3上升时间  rise time驱动器门极输出信号的门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。3.4下降时间  descending time驱动器门极输出信号的门极开通电压（+15  V）的90%至门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%的时间量。3.5故障信号保持时间  fault signal holding time发生故障以后，驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。3.6空载电流  no load current在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。3.7工作电流  operating current在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。3.8VCE短路保护响应时间  VCE short-circuit protection response time功率器件IGBT短路发生到驱动器执行关断的时间。3.9阻断时间  blocking time驱动器从SOx报出故障时刻开始封锁门极电压输出到能够响应上位机PWM信号的时间。4缩略语下列缩略语适用于本文件：IGBT：绝缘栅双极型晶体管；PWM：脉冲宽度调制；LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥；DUT：被测绝缘栅双极型晶体管驱动器；VCE：集电极-发射极电压；VGE：栅极-发射极电压；SOx：故障状态输出端口。5绝缘参数驱动器低压侧与高压侧的绝缘参数应符合表1的要求。表1绝缘参数电压等级绝缘耐压测试时间漏电流限值最小电气间隙（mm）最小爬电距离（mm）基本绝缘加强绝缘基本绝缘加强绝缘1 200 V3 750 VRMS60 s2 mA368

适用范围：范围:本文件规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅基二极管构成的混合功率半导体模块 的术语、文字符号、基本额定值、特性以及测试方法; 主要技术内容:本标准针对由硅IGBT和碳化硅二极管组成的混合功率模块，参考GB/T 29332、IEC 60747-2和BS EN60747-15，以及国外主流功率半导体模块制造商产品的技术要求，同时结合混合模块的应用需求，对器件的术语、符号、基本额定值和特性以及测试方法进行详细规定和要求。并在在原有创新性的基础上，本次修订又创新性的提出了最高和最低允许工作结温的定义和测试方法，在国内尚属首次

适用范围：范围:本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用; 主要技术内容:本文件使用范围为三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应晶体管。氮化镓具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等一系列优点，在电网中的三相智能电表及小型线路终端有广阔的应用前景。随着电网业务需求的不断扩展，新一代三相智能电表及小型线路终端的正在推广使用，且逐渐替代传统三相智能电表及小型线路终端，市场需求量巨大。相比传统三相智能电表及小型线路终端，新一代三相智能电表及小型线路终端内部的电源转换模组通过使用氮化镓材料开关器件替换传统的使用硅(Si)基材料开关器件，提高了电源转换效率，减少了电力消耗、降低了电源温度，获得了更好的稳定性，同时也在使用中节省更多的电力投入，在应用的场景中降低线损。然而由于材料、工艺、器件结构等相对不成熟，氮化镓器件尚处于产业化推广阶段。对于进一步提高击穿电压、降低导通电阻、提高器件安全可靠性，是将氮化镓功率器件应用于三相智能电表及小型线路终端的核心。目前，业内尚未针对在三相智能电表及小型线路终端使用氮化镓功率器件的标准。且因行业内各单位的测试仪器型号不同，抽样标准、测试条件、操作方法等条件也各有不同，使得产业内从业人员在使用氮化镓器件过程中，难以在较统一的条件下比较氮化镓性能。希望借此标准的制定，有效规范氮化镓器件在电网行业内的应用，推动氮化镓功率器件的产业化发展

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存