适用范围：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。 作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

适用范围：主要技术内容:前言.I引言.IIESD/TVS静电保护类器件测试规范.11  范围.12  规范性引用文件.13  术语和定义.13.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.13.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.13.3  击穿电压Breakdown Voltage.23.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage.23.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current.23.6  箝位电压Clamping Voltage.23.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power .23.8  结电容Junction capacitor.23.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.23.10  I-V特性曲线.23.11  C-V特性曲线.23.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.34  分类型号.34.1 分类.34.2 型号.35  测试方法.45.1 总则.45.2 测试目的.45.3 测试条件.45.4 测试设备和装置.55.5测试关键指标.55.6 测试内容.55.7 关键参数示例.6

适用范围：主要技术内容:前言.31 范围.42 规范性引用文件.43术语和定义.44产品命名规则.65技术要求.66试验方法.87检验规则.98标志、包装、运输、贮存.9

适用范围：范围:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试，但应考虑器件热特性，尽量减少自热效应对测试结果带来的影响。未切割的小功率晶圆级器件相对其功率等级具有较好的散热能力，而大功率晶圆级器件和封装级器件可能在连续大电流测试过程结温明显上升，需要进行散热处理; 主要技术内容:本文件描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

适用范围：本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。 本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。

适用范围：本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下，评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法，以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。 本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量，也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能，例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。 本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

适用范围：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

适用范围：本文件定义了一种传输线脉冲（TLP）试验方法，用于评估被测半导体器件的电压电流响应，并考量静电放电（ESD）人体模型（HBM）防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准（例如IEC 6074926）的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南，以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。

适用范围：范围:本文件适用于半导体器件加工; 主要技术内容:本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等

适用范围：本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

适用范围：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

适用范围：本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

适用范围：主要技术内容:X射线实时成像技术是一种由X射线接收装置和监视器来代替传统射线照相中的胶片得到X射线图像的无损检测技术。使用X射线接收装置将不可见的X射线转换为数字或模拟信号，经图像成像及处理后呈现在显示器上。利用X射线穿透不同物质时呈现出不同程度衰减的原理，在X射线图像中显示出明暗度差异。图像处理系统克服因为X射线源和X射线探测器不同及焊接层材料密度不同、厚度不均等原因导致的图像明暗度有差异，图层不好分割的困难，将图像分割为焊盘和空洞两个图层。图像处理系统计算出空洞图层中空洞面积与焊盘图层中焊盘面积的比值，即焊接层的空洞率，达到DBC基板一次焊接和二次焊接层焊接质量检测的目的

适用范围：主要技术内容:本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关