适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

适用范围：本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗2?(V?s)～20000 〖cm〗2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。 注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

适用范围：本文件规定了陀螺仪的术语和定义、额定值、性能参数及测量方法。 陀螺仪主要用于消费电子、工业和航空航天等。陀螺仪广泛采用MEMS和半导体激光器技术。

适用范围：本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。

适用范围：本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

适用范围：本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

适用范围：本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

适用范围：本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

适用范围：本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆，以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。 本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了术语和定义、仪器设备、程序、故障判断、安全要求。本文件适用于车规功率器件可靠性测试标准

适用范围：主要技术内容:本文件规定了多视点光场显示器的单目立体视觉的测量方法