19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 现行
    译:GB/T 4937.13-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 13:Salt atmosphere
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-01-01
  • SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 现行
    译:SJ/T 9014.8.2-2018 Semiconductor Devices, Discrete Devices Part 8-2: Ultra Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Blank Specification Manual
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2018-04-30 | 实施时间: 2018-07-01
  • T/IAWBS 004-2017 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 现行
    译:T/IAWBS 004-2017 General requirements and test methods for reliability testing of power semiconductor modules for electric vehicles
    适用范围:主要技术内容:本标准规定了电动汽车用功率半导体模块可靠性试验前的功能性检查要求、可靠性试验过程中的通用要求以及可靠性试验方法。本标准适用的功率半导体模块,包括但不限于绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和二极管模块。本标准还规定了宽禁带半导体模块,如碳化硅基MOSFET特殊的试验要求。本标准可为电动汽车用功率半导体模块的可靠性定型试验及可靠性的设计与检验提供指南
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :N04基础标准与通用方法
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-12-20 | 实施时间: 2017-12-31
  • GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法 现行
    译:GB/T 249-2017 The rule of type designation for discrete semiconductor devices
    适用范围:本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-05-12 | 实施时间: 2017-12-01
  • DB35/T 1611-2016 COB 封装白光发光二极管技术规范 现行
    译:DB35/T 1611-2016
    适用范围:本标准规定了COB封装白光发光二极管的术语和定义、产品类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于室内外照明用的COB封装白光发光二极管(以下简称COB LED),其他颜色的COB封装发光二极管可参考使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.20晶体闸流管 【中国标准分类号(CCS)】 :L45微波、毫米波二、三极管
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2016-11-11 | 实施时间: 2017-02-11
  • GB/T 32872-2016 空间科学照明用LED筛选规范 现行
    译:GB/T 32872-2016 Screening specifications for illumination LEDs in space sciences
    适用范围:本标准规定了空间科学照明用LED(Light Emitting Diode)筛选项目和程序、筛选方法、参数测量和合格判定。本标准适用于空间科学照明用额定功率1 W和1 W以上封装的单芯LED的筛选,其他功率级别的LED也可参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-08-29 | 实施时间: 2016-11-01
  • GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 现行
    译:GB/T 32817-2016 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Generic specification for MEMS
    适用范围:本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-08-29 | 实施时间: 2017-03-01
  • SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1480-2016 The detailed specification of a high-frequency small-power silicon PNP transistor type 3CG130
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1826-2016 Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1832-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK102 in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1472-2016 Detailed specification for high frequency small power silicon PNP transistor type 3CG110 in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1830-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK101 in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1486-2016 Semiconductor discrete device 3CG180 silicon PNP high frequency and high reverse voltage small power transistor detailed specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1838-2016 Detailed specification of the 3DK29 type NPN silicon small power switching transistor for semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1831-2016 Detailed specification for 3DK28 type NPN silicon small power switching transistor in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 11460.3-2016 液晶显示用背光组件 第3-3部分:电视接收机用LED背光组件空白详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3-2016 SJ/T 11460.3-2016 Backlight assembly for liquid crystal display - Part 3-3: Blank specification for LED backlight assembly for TV receivers
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1834-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK104 type semiconductor discrete device
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1839-2016 Detailed specification of the 3DK108 type NPN silicon small power switching transistor in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1477-2016
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1833-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK103 in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01