DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法

ICS31.080

CCSL40

13

河北省地方标准

DB13/T5696—2023

基于高温反偏试验的GaNHEMT射频功率器

件缺陷快速筛选方法

2023-05-06发布2023-06-06实施

河北省市场监督管理局  发布

DB13/T5696—2023

目次

前言...............................................................................II

引言..............................................................................III

1范围.............................................................................1

2规范性引用文件...................................................................1

3术语和定义.......................................................................1

4文字符号.........................................................................1

5筛选原理.........................................................................2

6筛选条件.........................................................................2

7筛选系统构成和要求...............................................................2

8筛选方法.........................................................................2

9判据.............................................................................5

10试验报告........................................................................5

附录A（资料性）电压控制及电流采集模块电路.........................................6

参考文献............................................................................7

I

DB13/T5696—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的

规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由石家庄市市场监督管理局提出。

本文件起草单位：河北博威集成电路有限公司。

本文件主要起草人：郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩。

本文件为首次发布。

II

DB13/T5696—2023

引言

GaNHEMT功率器件在生产过程中可能会存在一系列缺陷，例如介质缺陷、表面沾污、裂纹、沟

道漏电以及局部发热点等，这些缺陷在使用初期不易被发现，而在长期使用中极易导致器件失效。

用户使用过程中，尤其在单个模块或组件中使用多个GaNHEMT功率器件的应用场景下，单个器件的

失效可能导致整个模块或组件失效或报废，因此对于GaNHEMT功率器件失效率要求更为严苛。

高温反偏是在一定的温度下、对器件连续施加一定时间的高温直流反向偏置电应力，通过电热

应力的综合作用来加速器件内部物理变化和化学反应过程，促使隐藏于器件内部的各种潜在缺陷在

早期暴露出来，从而达到剔除早期失效器件的目的。通过在高温反偏过程中监测器件的电流变化特

性，找出缺陷器件和正常器件的电流变化特性差异，达到可在较短时间内剔除存在早期失效风险器

件的目的。特制订本文件。

III

DB13/T5696—2023

基于高温反偏试验的