适用范围：本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

适用范围：范围:本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于芯片制造用离子注入设备; 主要技术内容:本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于芯片制造用离子注入设备

适用范围：范围:本文件适用于各类工业自动化、手工焊机、新能源发电、电动汽车、家电等领域使用的功率集成模块（PIM）; 主要技术内容:本文件规定了功率集成模块（PIM）的术语和定义、文字符号、产品概述、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存的要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了检测车规级功率半导体模块动态特性的双脉冲测试和短路测试的平台、方法和数据处理的要求。本文件适用于车规级IGBT和二极管功率半导体模块，SiC MOSFET和GaN等芯片封装而成的车规级功率模块也可参考本文件

适用范围：范围:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行

适用范围：范围:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体功率芯片的散热系统; 主要技术内容:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体功率芯片的散热系统

适用范围：范围:本文件适用于没有经过喷漆或电镀的半导体设备零配件的清洗; 主要技术内容:本文件规定了半导体设备零配件清洗的一般要求、表面处理、化学清洗、外观面检验、标识、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件

适用范围：范围:本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等; 主要技术内容:本文件规定汽车用射频前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技术要求和试验方法。本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。 本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。