GB/T 43748-2024 微束分析 透射电子显微术 集成电路芯片中功能薄膜层厚度的测定方法

ICS71.040.50

CCSN33

中华人民共和国国家标准

/—

GBT437482024

微束分析透射电子显微术

集成电路芯片中功能薄膜层厚度的

测定方法

——

MicrobeamanalsisTransmissionelectronmicrosco

ypy

Methodformeasurinthethicknessoffunctionalthinfilmsin

g

interatedcircuitchis

gp

2024-03-15发布2024-10-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT437482024

目次

前言…………………………Ⅰ

引言…………………………Ⅱ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4符号和缩略语……………2

5方法原理…………………2

6仪器设备…………………3

7试样………………………3

8试验步骤…………………4

9测量结果的不确定度评定………………6

10试验报告…………………6

()……

附录A资料性SiN薄膜层厚度测量结果的不确定度评定示例7

参考文献……………………10

/—

GBT437482024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国微束分析标准化技术委员会(/)提出并归口。

SACTC38

:、、()。

本文件起草单位广东省科学院工业分析检测中心南方科技大学胜科纳米苏州股份有限公司

:、、、、、、、、。

本文件主要起草人伍超群于洪宇乔明胜陈文龙周鹏邱杨黄晋华汪青程鑫

Ⅰ

/—

GBT437482024

引言

功能薄膜材料及性能是先进集成电路(,)制程中非常重要的基础性工艺技术

InteratedCircuitIC

g

。、、(

保障在基芯片或为基的宽禁带半导体功率及射频器件芯片微小型发光二极管

SiGaNSiCMicro-

),、。

Led等微纳半导体元器件中各类功能薄膜材料更具有显微结构复杂化学组成多元的特点先进集

。,、

成电路技术已经进入纳米技术时代伴随着智能社会的临近以及技术的普及未来移动通信物联

5G

、、

网智能健康医疗工业物联网和智能驾驶等新兴集成电路产业远景正推动着先进集成电路芯片的智能

、、,。

化功能化微型化的技术进程成为半导体工业目前和未来技术发展的重要趋势和特征万物互联和

。,

器件多功能性造就未来集成电路器件的更多新材料新结构的独特属性因此集成电路芯片的纳米结

、、、

构高纯材料微量控制界面工程等精准规范化分析测试技术成为未来半导体工业健康发展的重要技

,

术关键纳米级多层功能薄膜材料及性能是超大规模集成电路制程中非常重要的基础性工艺技术保

,。

障准确获得纳米级多层功能薄膜层的厚度显得尤为重要透射电子显微术独特的高空间分辨率已经

。

使其成为最重要的实现在纳米尺度下进行微观结构和微观化学组成分析检测的技术在目前我国大力

,、、

发展各类半导体芯片产业的前提下科研院所高等院校大型企业和各地分析测试中心等实验室都已

/(/),

装备了大量透射电子显微镜扫描透射电子显微镜TEMSTEM透射电子显微技术已广泛应用于半

/。

导体器件研发生产中纳米尺度材料的分析研究

,,

目前尚没有适用于测量集成电路芯片多功能膜层厚度的相关标准集成电路芯片的发展受到了严

,、。

重制约制定新的国家标准规范集成电路芯片功能薄膜层厚度的测定方法具有重要意义

Ⅱ

/—

GBT437482024

微束分析透射电子显微术

集成电路芯片中功能薄膜层厚度的

测定方法

1范围

/(/)

本文件规定了用透射电子显微镜扫描透射电子显微镜TEMSTEM测定集成电路芯片中功能

薄膜层厚度的方法。

本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/数值修约规则与极限数值的表示和判定

GBT8170

/—微束分析分析电子显微术透射电镜选区电子衍射分析方法

GBT189072013

/—微束分析薄晶体厚度的会聚束电子衍射测定方法

GBT207242021

/:

纳米科技术语第部分纳米结构材料

GBT30544.44

/—微束分析分析电子显微学术语

GBT403002021

/—聚焦离子束系统分析方法通则

JYT05832020

3术语和定义

/—、/—、/、/—和/—

GBT189072013GBT207242021GBT30544.4GBT403002021JYT05832020

界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

薄晶体试样thincrstalsecimen

yp

,。

可安置在透射电子显微镜试样台上入射电子束能穿透的晶体试样

[:/—,]

来源GBT2072420213.2

3.2

优中心位置eucentricosition

p

透射电子显微镜中因试样倾转导致其图像横向移动最小的试样高度位置。

[:/—,,]

来源GBT1890720133.9有修改

3.3

选区电子衍射;

selectedareaelectrondiffractionSAED

用位于中间镜前方的选区光阑选择试样区域进行衍射的技术。

[:/—,]

来源GBT40300202110.3.4

1