GB/T 14620-2013 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
GB/T 14620-2013 Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits
基本信息
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称“基片”)的生产和采购,采用薄膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。
发布历史
-
1993年09月
-
2013年11月
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子技术标准化研究院
- 起草人:
- 曹易、李晓英
- 出版信息:
- 页数:13页 | 字数:22 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.030
L90
中华人民共和国国家标准
/—
GBT146202013
代替/—1993
GBT14620
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
Aluminaceramicsubstratesforthinfilminteratedcircuits
g
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2013-11-12发布2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT146202013
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准代替/—《》,/—,
GBT146201993薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片与GBT146201993相比
主要变化如下:
———();
增加了术语和产品标识见第章和第章
34
———();
增加了对标称氧化铝含量不能小于实际含量的要求见4.3
———();
细化了划线前后可能对基片外形尺寸造成影响的指标见5.2.2
———();
增加了对基片直线度的要求见表2
———();
区分烧结和抛光基片见表和表
15
———()。
对基片翘曲度的测试进行了详细说明见附录A
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Ⅰ
/—
GBT146202013
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
1范围
、、、、、
本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求测试方法检验规则标志包装运输和
贮存。
(“”),
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片以下简称基片的生产和采购采用薄膜工艺的
片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。
2规范性引用文件
。,
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,()。
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
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/:()
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/()
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GBT146192013
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3术语和定义
/—界定的术语和定义适用于本文件。
GBT146192013
4标识及代号
4.1通则
(),,:
基片用五组带下划线的符号字母或数字标识各组数字之间用短横线隔开标识示例如下
1
/—
GBT146202013
A996-020-Ⅲ-15
()
基片表面粗糙度见4.6
()
基片外形尺寸公差范围见4.5
()
基片标称厚度见4.4
()
基片氧化铝含量见4.3
()
基片材质代号见4.2
:,“”。
注如供需双方商定产品允许偏差不属于表规定的级可用标识
2X
4.2基片材质
“”。
氧化铝制基片用字母A表示
4.3氧化铝含量
。,,
基片的标称氧化铝含量用位数表示第一个数字表示十位第二个数字表示个位第三位表示小
3
。,。,
数点后第一位如小数点后第一位数值为零可省略例如996表示基片的标称氧化铝质量分数为
()。标识中的氧化铝含量不应低于实际含量值。
99.6%见表5
4.4基片标称厚度
,,,
基片标称厚度用位数表示第一个数字表示毫米第二个数字表示十分之一毫米第三个数字表
3
。,()。
示百分之一毫米例如020表示基片的标称厚度为0.20mm见表1
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4.5基片外形尺寸公差范围
、、()。
基片外形尺寸的公差范围用ⅠⅡⅢ表示见表2
4.6基片表面粗糙度
。
基片表面粗糙度指基片上将要印制或沉积膜无源元件的一个工作表面的粗糙度粗糙度用位数
2
,,。,
表示第一个数字表示十分之一微米第二个数字表示百分之一微米例如15表示基片的表面粗糙
。,。
度为如对基片的两个表面的表面质量都有要求则基片标识由供需双方商定
Ra0.15m
μ
5要求
5.1外观
,。。
除非另有规定基片应是白色质密的固体外观应符合表的规定
1
表1外观
项目典型示例烧结态抛光或覆釉测试方法章条号
裂纹a不允许存在不允许存在6.5.8
2
/—
GBT146202013
表()
1续
项目典型示例烧结态抛光或覆釉测试方法章条号
瓷疱不允许存在不允许存在
凸脊不允许存在不允许存在
低于0.01mm
毛刺直径小于0.2mm不允许存在
2
(/)
允许个
1cm
6.5.8
浅于0.01mm
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划痕长度小于6mm不允许存在
2
(/)
允许个
定制服务
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