GB/T 14619-2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

ICS31.030

L90

中华人民共和国国家标准

/—

GBT146192013

代替/—

GBT146191993

厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

Aluminaceramicsubstratesforthickfilminteratedcircuits

g

2013-11-12发布2014-04-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT146192013

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—

本标准替代GBT146191993厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片与GBT146191993相比主

要的技术变化如下:

———();

增加了术语和产品标识见第章和第章

34

———,();

增加了对采用标称氧化铝含量表示基片类型时实际氧化铝含量值的要求见4.3

———();

增加了凹坑的直径见表1

———,();

增加了非96%氧化铝瓷的分类并给出了指标见表5

———();

增加了孔的要求见5.2.2

———();

细化了划线后基片尺寸指标的要求见5.2.3

———()。

对基片翘曲度的测试进行了详细说明见附录A

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本标准由中国电子技术标准化研究院归口。

:。

本标准起草单位中国电子技术标准化研究院

:、。

本标准主要起草人曹易李晓英

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

———/—。

GBT146191993

Ⅰ

/—

GBT146192013

厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

1范围

、、、、、

本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求测试方法检验规则标志包装运输和

贮存。

,

本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝

()。

陶瓷基片以下简称基片也可参照使用

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/产品几何量技术规范()形状和位置偏差检测规定

GBT1958GPS

/压电陶瓷材料体积密度测量方法

GBT2413

/:()

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GBT2828.11AQL

/()

GBT2829周期检查计数抽样程序及抽样表适用于生产过程稳定性的检查

/电子元器件结构陶瓷材料

GBT5593

/电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法平均线膨胀系数测试方法

GBT5594.3

/电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法介电常数和介质损耗角正切值的测试

GBT5594.4

方法

/电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法

GBT5594.5

/电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法透液性测试方法

GBT5594.7

/氧化铍瓷导热系数测定方法

GBT5598

/()()

产品几何技术规范表面结构轮廓法接触触针式仪器的标称特性

GBT6062GPS

/精细陶瓷弯曲强度试验方法

GBT6569

/铝硅系耐火材料化学分析方法

GBT6900

/—电子陶瓷零件技术条件

GBT9531.11988

/—精细陶瓷室温硬度试验方法

GBT165342009

—微电子器件试验方法和程序

GJB548B2005

—固体材料高温热扩散率测试方法

GJB1201.11991

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氧化铝陶瓷基片;

aluminaceramicsubstratealuminasubstrate

、,。

可在其表面印制导体图形膜元件或粘贴电子元器件的一种片状氧化铝陶瓷支撑物简称基片

1

/—

GBT146192013

3.2

划线scribing

,,()

采用激光或其他切割手段在基片的表面预划刻的一条或多条线形成了由分切片3.3构成的

联片。

3.3

分切片scribedsement

g

,。

沿预划刻的线条掰开联片后可获得的一个或多个外形符合工艺要求的基片或成膜基片

3.4

裂纹crack

、。

未使基片完全破碎的宽度比长度小得多的断裂痕

3.5

瓷疱blister

基片表面上破碎后可形成凹坑的疱。

3.6

凸脊ride

g

基片表面上长而窄的凸起。

3.7

毛刺burr

,。

基片表面上由自身材料或外来颗粒形成的短小凸起

3.8

划痕scratch

,、。

基片表面上长而窄的凹槽刮擦或削切痕

3.9

缺损chi

p

,。

边缘或角的一部分从基片上脱落后留下的缺陷

3.10

凹坑it

p

存在于基片表面的孔或凹陷。

4标识

4.1概述

(),,:

基片用五组带下划线的符号字母或数字标识各组数字之间用短横线隔开标识示例如下

A96-020-Ⅲ-030

()

基片表面粗糙度见4.6

()

基片外形尺寸公差范围见4.5

()

基片标称厚度见4.4

()

基片氧化铝含量见4.3

()

基片材质代号见4.2

:,“”。

注如供需双方商定产品允许偏差不属于表规定的级可用标识

2X

2

/—

GBT146192013

4.2基片材质

“”。

氧化铝制基片用字母A表示

4.3氧化铝含量

,。;;

基片的标称氧化铝百分含量用位数表示第位数字表示十位第位数字表示个位第位

3123

,,。,

数字表示小数点后第一位如小数点后第位数值为零可省略不写例如表示基片的标称氧化铝

196

。,

含量为96.0%当采用氧化铝含量对产品进行标记或命名时产品的实际氧化铝含量不应低于其标记

,。

中所示的含量值如瓷的氧化铝含量应不小于

9696%

4.4基片标称厚度

。,,

基片标称厚度用位数表示第位数字表示毫米第位数字表示十分之一毫米第位数字

3123

。,()。

表示百分之一毫米例如020表示基片的标称厚度为0.20mm见表2

4.5基片外形尺寸偏差范围

、、()。

基片外形尺寸的偏差范围用ⅠⅡⅢ表示见表2

4.6基片表面粗糙度

()。,

基片上将要印制导体图形或无源元件的一个表面的粗糙度粗糙度用位数表示第位数

Ra31

,,。,

字表示微米第位数字表示十分之一微米第位数字表示百分之一微米例如表示基片的表

23030

。,。

面粗糙度为0.30m如对基片的两个表面的表面质量都有要求则基片标识由供需双方商定

μ

5要求

5.1外观

,。

除非另有规定基片外观应符合表的规定

1

表1外观a

最大允许值最大允许值个数测试方法

项目典型示例

mm个/10cm2章条号

裂纹不允许不允许

6.5.8

瓷疱不允许高于0.0251

3

/—

GBT146192013

()

表续

1

最大允许值最大允许值个数测试方法

项目典型示例

mm个/10cm2章条号

凸脊不允许高于0.0251