GB/T 46280.5-2025 芯粒互联接口规范 第5部分：基于2.5D封装的物理层技术要求

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T462805—2025

.

芯粒互联接口规范

第5部分基于2.5D封装的物理层

:

技术要求

Secificationforchiletinterconnectioninterface—Part5Phsicallaer

pp:yy

technicalrequirementsbasedon2.5Dpackage

2025-08-19发布2026-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T462805—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………1

逻辑子层

5…………………2

逻辑子层功能

5.1………………………2

数据分发

5.2……………2

冗余修复

5.3……………2

加解扰

5.4………………3

初始化

5.5………………3

训练流程

5.6……………4

电气子层

6………………7

电气子层功能

6.1………………………7

收发机整体结构

6.2……………………9

发射机规格

6.3…………………………11

接收机规格

6.4…………………………14

边带通路电气参数

6.5…………………15

芯粒互联接口的物理布局

6.6…………16

接收机眼图

6.7…………………………24

电源噪声

6.8……………25

低功耗模式快速切换

6.9………………25

边带通路

7…………………25

概述

7.1…………………25

边带通路接口

7.2………………………26

边带通路报文格式

7.3…………………27

芯粒物理层接口

8…………………………29

概述

8.1…………………29

公共控制接口

8.2………………………30

事件接口定义

8.3………………………31

发送数据接口

8.4………………………31

发送控制接口

8.5………………………32

接收数据接口

8.6………………………33

接收控制接口

8.7………………………33

Ⅰ

GB/T462805—2025

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是芯粒互联接口规范的第部分已经发布了以下部分

GB/T46280《》5。GB/T46280:

第部分总则

———1:;

第部分协议层技术要求

———2:;

第部分数据链路层技术要求

———3:;

第部分基于封装的物理层技术要求

———4:2D;

第部分基于封装的物理层技术要求

———5:2.5D。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中关村高性能芯片互联技术联盟中国电子技术标准化研究院深圳市海思半导

:、、

体有限公司清华大学盛合晶微半导体江阴有限公司深圳市中兴微电子技术有限公司北京大学

、、()、、、

中国移动通信有限公司研究院福建省电子信息集团有限责任公司北京芯力技术创新中心有限公

、()、

司中科芯集成电路有限公司上海交通大学中茵微电子南京有限公司

、、、()。

本文件主要起草人吴华强张玉芹蔡静杨蕾崔东周俊李翔宇李铭轩吴波王谦刘泽伟

:、、、、、、、、、、、

罗多纳王士伟唐良晓李洋王海健薛兴涛李乐琪邹浩李男王大鹏贾海昆王玮叶乐贾天宇

、、、、、、、、、、、、、、

李欣喜章莱金鹏魏敬和华松逸贺光辉蒋剑飞袁春朱红卫许弘文高强

、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T462805—2025

.

引言

芯粒技术是通过高带宽互联接口和先进封装将多个裸芯片或集成的裸芯片集成为一个

(chiplet),

更大的芯片或系统兼具高性能和低成本优势在后摩尔时代芯粒技术是支撑高性能计算产业发展的

,。,

关键技术之一

。

芯粒互联接口规范旨在对芯粒间点对点互联的数据传输处理机制进行统一用于不

GB/T46280《》,

同供应商设计单位制造单位封测单位不同功能不同工艺节点的芯粒实现高效互联互通

(、、)、、。

芯粒互联接口规范规定了芯粒间互联的分层架构以及各层的功能要求和层间接口

GB/T46280《》,

要求拟由五个部分构成

,。

第部分总则目的在于界定芯粒互联接口的术语和定义缩略语规定芯粒互联接口的分

———1:。、,

层架构以及各层的基本功能并确立互联场景和封装类型

,。

第部分协议层技术要求目的在于规定芯粒互联接口的协议层技术要求通用总线

———2:。、SoC

协议高带宽存储协议及自定义协议的报文格式适配方式

、。

第部分数据链路层技术要求目的在于规定芯粒互联接口的数据链路层技术要求

———3:。。

第部分基于封装的物理层技术要求目的在于规定芯粒互联接口的基于封装的物

———4:2D。2D

理层技术要求

。

第部分基于封装的物理层技术要求目的在于规定芯粒互联接口的基于封装

———5:2.5D。2.5D

的物理层技术要求

。

Ⅳ

GB/T462805—2025

.

芯粒互联接口规范

第5部分基于2.5D封装的物理层

:

技术要求

1范围

本文件规定了基于封装的物理层技术要求包括初始化及训练流程物理层电气特性冗余机

2.5D,、、

制接口物理布局和低功耗控制相关技术要求

、。

本文件适用于芯粒互联接口的设计制造和应用

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

芯粒互联接口规范第部分总则

GB/T46280.11:

芯粒互联接口规范第部分数据链路层技术要求

GB/T46280.33:

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T40268.1。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件

。

交流

AC:(AlternatingCurrent)

内建自测试

BIST:(Built-InSelf-Test)

时钟到数据对齐

CDA:(ClockandDataAlignment)

带电器件模型

CDM:(ChargedDeviceModel)

芯粒物理层接口

CPIF:(ChipletPHYInterface)

直流

DC:(DirectCurrent)

双倍数据速率

DDR:(DoubleDataRate)

电磁干扰

EMI:(ElectromagneticInterference)

静电放电

ESD:(ElectrostaticDischarge,ESD)

插损串扰比

ICR:(InsertionLosstoCrosstalkRatio)

集成式时钟门控

ICG:(IntergratedClockGating)

输入输出端口

IO:/(Input/Output)

低功耗模式

LPC:(LowPowerCommand)

低比特位

LSB:(LeastSignificantBit)

1