GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法

GB/T 40109-2021 Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon

国家标准 中文简体 现行 页数:12页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 40109-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
适用范围
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法,以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品,溅射弧坑深度在50 nm及以上。

发布历史

研制信息

起草单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人:
马农农、何友琴、陈潇、张鑫、王东雪、李展平
出版信息:
页数:12页 | 字数:20 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS71.040.40

CCSG04

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT401092021ISO175602014

表面化学分析二次离子质谱

硅中硼深度剖析方法

——

SurfacechemicalanalsisSecondar-ionmasssectrometr

yypy

Methodfordethrofilinofboroninsilicon

ppg

(:,)

ISO175602014IDT

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT401092021ISO175602014

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3符号和缩略语……………1

4原理………………………2

5参考物质…………………2

5.1用于校准相对灵敏度因子的参考物质……………2

5.2用于校准深度的参考物质…………2

6仪器………………………2

6.1二次离子质谱仪……………………2

6.2触针式轮廓仪………………………2

6.3光学干涉仪…………………………2

7样品………………………2

8步骤………………………2

8.1二次离子质谱仪的调整……………2

8.2优化二次离子质谱仪的设定………………………3

8.3进样…………………3

8.4检测离子……………3

8.5样品检测……………3

8.6校准…………………4

9结果表述…………………5

10测试报告…………………5

()………

附录资料性针式表面轮廓仪测试统计报告

A6

参考文献………………………8

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