适用范围：本标准规定了锡焊用助焊剂的分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标识、包装、运输、储存。本标准适用于电子产品锡焊用助焊剂。

适用范围：GB/T 31723的本部分描述了模拟和数字通信系统用链路和信道的耦合衰减实验室试验方法。

适用范围：本文件给出了使用频率在30 MHz～30 GHz的数字器件和设备用电磁噪声抑制片(NSS)的参数特征。本文件还提供了制造商的技术数据中关于噪声抑制片性能描述的导则。NSS是在噪声源处抑制噪声，而不是在一定距离吸收噪声。因此NSS不同于在自由空间使用的射频吸收器。本文件中给出的数值是NSS相关的典型参数（属性)值。特定器件的性能值不容易甚至不可能预估，因此NSS测试的目的是评估针对材料的评定。用户和制造商之间关于每一种详细材料和NSS规范宜相互协商一致。

适用范围：本文件提供了宇航用元器件结构分析的一般流程和方法，给出了样品、分析试验流程、结构单元分解和结构要素识别方法、结构判别依据等需考虑的信息。本文件适用于半导体集成电路、半导体分立器件、光电器件、电阻器、电容器、电连接器、继电器、开关、熔断器、石英晶体、声表器件、滤波器、射频元件等类别元器件的结构分析工作，其他类别元器件参照执行。

适用范围：GB/T 11313的本部分规定了CQN系列快速锁紧射频连接器的插合界面和标准规、质量评定程序、详细规范制定指南、空白详细规范格式。 本部分规定了2级通用连接器的插合界面尺寸、0级标准试验连接器的具体尺寸以及从GB/T 11313.1—2013中选取适用于CQN系列连接器的所有详细规范的规则内容和试验。 本部分提供了编写一份详细规范时考虑的推荐性能特性，包括对M级和H级评定水平的试验一览表和检验要求。 本部分适用于具有50 Ω特性阻抗，最高工作频率达11 GHz，用于无线电设备和仪器中配接射频电缆或微带的CQN系列快速锁紧射频连接器。 注： 本部分原始尺寸为公制尺寸，所有未注尺寸的图形结构仅供参考。

适用范围：GB/T 31723的本部分描述了模拟和数字通信系统用已安装的链路和信道耦合衰减的现场试验方法。本部分适用于确定布缆系统中干扰功率对信号功率的衰减，也适用于确定布缆对系统的电磁兼容（EMC）的影响。

适用范围：本文件适用于表面安装固定电感器和铁氧体磁珠。 当本文件中的规格与产品详细规范不一致时，宜以产品详细规范为准。 本文件的目的是确立表面安装固定电感器的要求、描述术语、推荐标准值和尺寸，可作为表面安装固定电感器的导则使用。

适用范围：本文件规定了刚性覆铜箔层压板的术语和定义、分类及型号、命名及标识以及材料、外观、尺寸、质量保证、包装、标志、运输和贮存等共性要求。 本文件适用于印制电路用刚性覆铜箔层压板（以下简称覆铜板）。 本文件不适用于金属基和陶瓷基等特殊覆铜板。

适用范围：本文件界定了使用频率在30 MHz～30 GHz的数字器件和设备用电磁噪声抑制片的术语和定义，给出了使用噪声抑制片对信号的影响。本文件还提供了制造商的技术数据中关于噪声抑制片性能描述的导则。噪声抑制片不同于在自由空间中使用的射频吸收器。 本文件限于确立术语和定义，它构成了GB/T 40675第2部分的参考内容。第2部分规定了第1部分中定义的参数的测量细节。这两部分是紧密相关的，应配合使用。 注： 本文件还规定了使用这些抑制片对信号线的影响。

适用范围：GB/T 21021的本部分描述了同轴电缆组件无源互调电平的测量程序。 本部分适用于跳线，即在固定装置间提供接口灵活性的电缆组件。

适用范围：本文件规定了纳亨级片式电感器的电特性及其测量方法。 本文件适用于在高频（100 kHz以上）范围使用的纳亨级片式电感器。

适用范围：GB/T 21021 的本部分描述了无源射频和微波元器件中由两路或两路以上传输信号产生的无源互调电平的一般要求和测量方法。 本部分中的试验程序规定了在传输两路信号时所产生的不希望的互调信号的一般要求和测量方法。 GB/T 21021 的各部分阐述了无源互调（PIM）的测量方法，但不涉及与该性能有关的产品长期可靠性。 本部分与GB/T 21021的其他部分配套使用。

适用范围：GB/T 21021 的本部分描述了测量同轴电缆无源互调电平推荐的试验装置和试验程序，包括两个动态试验方法和一个静态试验方法。 所有电缆需经受静态试验和夹持电缆环形动态试验。 柔软或半柔电缆还需经受弯曲工具动态试验。

适用范围：本文件规定了噪声抑制片电磁特性的测量方法。这些测量方法能够对噪声抑制片的性能进行有效且可重复地测量，以保证制造商及用户能得到相同的测量结果。

适用范围：GB/T 21021 的本部分描述了同轴连接器经受冲击试验时的无源互调（PIM）试验方法。该试验用来评估同轴连接器的坚固性，防止连接器内部出现不牢固的连接和微粒，尽可能独立于无源互调（PIM）的影响。 对于其他连接器（例如面板安装连接器），电缆可被合适的传输线所替代（如空气线、带状线）。为了评估机械应力对连接器的影响，测量PIM时需要对连接器施加一系列的冲击力。

适用范围：GB/T 39560的本部分描述了两种标准方法和两种参考方法，用于测定在电子电气产品聚合物中的邻苯二甲酸二异丁酯（DIBP）、邻苯二甲酸二正丁酯（DBP）、邻苯二甲酸丁苄酯（BBP）、邻苯二甲酸二异辛酯（DEHP）、邻苯二甲酸二正辛酯（DNOP）、邻苯二甲酸二异壬酯（DINP）以及邻苯二甲酸二异癸酯（DIDP）。 本部分的标准方法是气相色谱-质谱（GC-MS）法与配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱（Py/TD-GC-MS）法。 GC-MS法是定量测定DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP 和DIDP 的标准方法，测定范围从50 mg/kg到2 000 mg/kg。 配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱法（Py/TD-GC-MS），适用于筛选和半定量分析电子电气产品聚合物材料中的DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP和DIDP，测定范围为100 mg/kg到2 000 mg/kg。 离子附着质谱法（IAMS）适用于DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP以及DIDP的筛选和半定量分析，详见附录A。由于质谱峰分辨率的限制，用IAMS法测定DBP和 DIBP、DEHP和DNOP的方法尚未确定。 液相色谱-质谱法（LC-MS）仅限于BBP、DEHP、DNOP、DINP 和DIDP的测定，详见附录B。由于质谱峰分辨率的限制，用LC-MS技术测定DBP和DIBP的方法尚未确定。 附录C中提供的流程图，描述了如何使用两种标准方法：Py/TD-GC-MS和GC-MS，及如何使用两种参考方法：直接进样（DIP）-离子附着质谱（IAMS）和液相色谱-质谱（LC-MS）。 这四种测试方法已经通过测试邻苯二甲酸酯含量约450 mg/kg至30 000 mg/kg的聚乙烯（PE）和聚氯乙烯（PVC）材料进行评估。本部分所述的四种方法对其他聚合物类型、邻苯二甲酸类化合物或上述规定浓度范围之外的使用未做具体评估。

适用范围：《电子设备用电位器》的本部分适用于电子设备用表面安装预调电位器。 本部分规定了表面安装预调电位器的优先额定值和特性，并从IEC 60393-1中选择适用的质量评定程序、试验和测量方法，并给出一般性能要求。

适用范围：GB/T 39560的本部分采用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS法测定聚合物、金属和电子件中的汞。 本部分规定了电子电气产品中汞（Hg）含量的测定。这些材料可以是聚合物、金属及电子件（如：印刷线路板、荧光灯、汞开关）。含汞电池参照参考文献[1]进行处理。国际实验室方法研究仅对塑料的检测方法进行了评估，而未涉及其他类型的基体。 本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品是什么样的、以及如何获得样品，由执行检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量，如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。值得注意的是，样品的选择和/或确定可能影响检测结果的解释。 本部分描述了四种方法的使用，即CV-AAS（冷蒸气原子吸收光谱法）、CV-AFS（冷蒸气原子荧光光谱法）、ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱法）和ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法），以及几种制备样品溶液的方法，可以从中选择最合适的分析方法。 用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定目标元素-汞，具有高准确性（不确定度小）和/或高灵敏度（检出限低至μg/kg水平）的特点。本部分描述的测试步骤可以测定4 mg/kg～1000 mg/kg含量范围内的汞，且准确度和精确度高。这些方法也适用于更高含量汞的测定。 采用热分解-金汞齐结合CV-AAS（TD（G）-AAS）的方法无需样品消解，也可用于汞的直接测定。由于样品量少，检出限会高于其他方法。

适用范围：GB/T 6346的本部分适用于表面安装的导电聚合物固体电解质钽固定电容器（以下简称电容器）。 表面安装MnO2固体电解质钽固定电容器不包括在本部分内，但被IEC 60384-3所覆盖。 这类电容器主要用于直接安装在混合电路基板上或印制电路板上。 特殊用途应用的电容器可能需要补充技术条件。

适用范围：GB/T 39560的本部分描述了AAS、AFS、ICP-OES和ICP-MS测定聚合物、金属和电子件中铅、镉和铬的方法。 本部分规定了电子电气产品中镉（Cd）、铅（Pb）和铬（Cr）含量的测定。它涵盖了三种类型的基体：聚合物/聚合物组件、金属及合金和电子件。 本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品及其获得方式由实施检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量，如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。样品的选择和/或测定可能影响对检测结果的解释。 本部分规定了电子电气产品中镉（Cd）、铅（Pb）和铬（Cr）含量的测定方法，介绍了四种仪器的检测方法（AAS、AFS、ICP-OES、ICP-MS）以及几种样品化学前处理方法（样品溶液的制备），可以从中选择最合适的方法。 由于聚合物和电子件中的六价铬有时难以测定，本部分描述了除AFS以外的聚合物和电子件中铬的筛选方法。铬的分析能提供材料中是否存在六价铬的信息。然而，元素分析不能选择性地测定六价铬，它测定的是样品中的总铬含量。如果总铬含量超过六价铬的限量，则应进行六价铬的确证检测。 本部分所述的ICP-OES和AAS法在测定含量高于10 mg/kg Pb、Cd和Cr；或者ICP-MS法测定高于0.1 mg/kg的Pb、Cd；或者AFS法测定高于10 mg/kg的Pb，高于1.5 mg/kg的Cd时，可获得最好的准确度和精密度。这些方法也可以测试更高含量的样品。 因为材料稳定性的关系，本部分不适用于含多氟聚合物的样品。如果在分析过程中使用硫酸，则存在Pb损失的风险，从而会得到错误的偏低的分析值。此外，因为可能干扰Cd的还原，硫酸和氢氟酸不适合于原子荧光光谱法测定Cd。 样品的溶解过程存在局限性和风险，例如可能发生目标物或其他元素的沉淀，在这种情况下，残留物应单独检查或用其他方法溶解，然后与测试样品溶液合并。