适用范围：无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验，在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面。 本文件适用于确认封装内部失效机理，为破坏性试验。

适用范围：本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。 本文件适用于半导体PN结温度传感器，描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

适用范围：本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。 注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。

适用范围：本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如：军用、航天等)，在合适的要求或采购文件中规定补充要求。 本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如：方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端)，由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。 使用本文件时，同时满足第7章的报告要求。

适用范围：本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。 本试验是破坏性试验。 本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。 本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。 闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

适用范围：本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法，分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。 为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性，还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。 本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

适用范围：本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。 除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。

适用范围：本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。 本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

适用范围：本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求，描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法，并规定了测试报告要求。 本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

适用范围：本文件描述了空腔器件内存在自由粒子的检测方法，如陶瓷碎片、残余键合引线或焊料球（金属颗粒)。 本试验是非破坏性试验。

适用范围：本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

适用范围：本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。 双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。

适用范围：本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

适用范围：本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

适用范围：本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

适用范围：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

适用范围：本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。