适用范围：本文件描述了红外探测器用化合物半导体材料和热释电材料型号命名的方法。本文件适用于红外探测用化合物半导体材料包括锑化铟(单晶)、锑化镓、碲锌镉等单晶材料，锑化铟（薄膜)、碲镉汞、铟镓砷、二类超晶格、量子阱等薄膜材料以及热释电材料包括硫酸三甘肽、钽酸锂、铌酸锶钡等单晶材料，锆钛酸铅、钛酸铅等金属氧化物陶瓷材料，聚氟乙烯，聚偏氟乙烯等高分子聚合物材料的命名。

适用范围：本文件描述了用于无线通信系统的漏泄同轴通信电缆耦合损耗的测试方法。这类电缆适用于隧道、铁路、公路、地铁、电梯及其他常规天线传输效果不佳甚至无法实现的封闭区域。

适用范围：本文件描述了用于无线通信系统的漏泄同轴通信电缆衰减常数的测试方法。这类电缆适用于隧道、铁路、公路、地铁、电梯及其他常规天线传输效果不佳甚至无法实现的封闭区域。

适用范围：本文件提供了具有编织、金属带或管状外导体的射频(RF)同轴电缆的设计指南。 本文件适用于同轴电缆。

适用范围：本文件规定了激光晶体与激光晶体元件型号的命名方法。 本文件适用于各种圆形截面和方形截面激光晶体元件的型号命名。

适用范围：本文件规定了服务器及存储设备用液冷部件技术要求、质量评定程序及标志、包装、运输和贮存,描述了相应的试验方法。 本文件适用于服务器及存储设备用单相液冷系统中液冷部件的设计、制造和测试。

适用范围：本文件规定了半导体封装用带预制焊环盖板的型号分类和标识，技术要求，检验规则，包装、标志、运输及贮存、说明事项，描述了检验方法。 本文件适用于密封半导体器件用带预制焊环盖板。

适用范围：本文件界定了多探针测试台(以下简称“探针台”)的术语和定义,规定了技术要求、检验规则、标志、包装、运输和贮存等要求,描述了相应的试验方法。 本文件适用于手动、半自动、全自动多探针测试台的设计、生产、检验和验收。

适用范围：本文件描述了电真空器件及电光源用钨、钼及其合金的棒、丝、板、片、箔、带材电阻率材料电阻率的测试方法。 本文件适用于电真空器件及电光源用钨、钼及其合金的棒、丝、板、片、箔、带材电阻率的测定。

适用范围：本文件描述了移动显示器件用玻璃盖板的机械试验方法，具体为通过砂粒研磨的方式进行磨损试验，采用保留双轴弯曲强度（磨损环对环）的方法测量玻璃盖板的表面断裂载荷。 本文件适用于移动显示器件用玻璃盖板机械性能的评价。

适用范围：本文件规定了移动电源的安全要求，描述了相应的试验方法。 本文件适用于额定输入电压为交流220 V 和/或直流不大于250 V, 输出电压为直流和/或交流的 移动电源。 注：交流220 V包括输入电压范围含交流220 V,如交流100 V 至交流240 V。

适用范围：本文件规定了电子级四氯化钛产品的技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、安全警告等，描述了对应的试验方法。 本文件适用于电子级四氯化钛。该产品主要用于集成电路制造、前驱体材料合成，电子级二氧化钛、特种光纤、特种合成石英等的制造。

适用范围：本文件规定了半导体行业用电子级四甲基硅烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资料、运输、贮存及安全警告的要求，描述了相应的检测方法。 本文件适用于沉积氧化硅、碳化硅等硅基薄膜的电子级四甲基硅烷，作为集成电路的刻蚀硬掩层、介电层等功能层；也适用于高纯电子清洗剂和标准试剂的电子级四甲基硅烷。

适用范围：本文件规定了电子级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）的产品分类、技术要求、检验规则及标志、包装、运输、贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于电子工业用电子级N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）。

适用范围：本文件规定了集成电路封装用球形氧化铝微粉的分类与标记、要求、检验规则以及标志、包装、运输和贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于采用火焰熔融法、高温熔融喷射法、高温氧化法、等离子体法或液相合成法制备的集成电路封装用球形氧化铝微粉。

适用范围：本文件描述了有机发光材料光学性能的测试方法，通过溶液或薄膜方式对荧光光谱、磷光光谱、紫外-可见吸收光谱进行测试；通过薄膜样品对非接触测量材料折射率和消光系数进行测试；通过有机发光二极管显示器件对电致发光特性进行测试，电致发光特性包括色坐标、亮度、发光效率、亮度老化性能。 本文件适用于各类有机发光材料的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：本文件规定了集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉的分类与标记、要求、检验规则以及标志、包装、运输、贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于采用火焰熔融法、高温熔融喷射法、高温氧化法、等离子体法或液相合成法制备的集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉。

适用范围：本文件规定了集成电路用双马来酰亚胺三嗪（BT)封装基材（以下简称“基材”)的产品分类、材料、要求、质量保证、包装与标识、运输及贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于主体树脂为双马来酰亚胺三嗪（BT),且绝缘层厚度为0.015 mm～3.2 mm的双面覆铜箔封装基材。其他用于封装基板的印制电路用覆铜箔层压板参照使用。

适用范围：本文件规定了半导体行业用电子级八甲基环四硅氧烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资料、运输、贮存及安全警告的要求，描述了对应的检测方法。 本文件适用于沉积氧化硅、碳氧掺杂硅、碳化硅等硅基膜的电子级八甲基环四硅氧烷，以其优异的绝缘性和耐高温性在半导体领域用作封装隔离层、集成电路绝缘层和介电层等。

适用范围：本文件描述了混合液晶纯度、易挥发分、水分含量、颗粒、金属离子浓度、清亮点、动力粘度、密度、弹性常数、旋转粘度、光学各向异性、介电各向异性、阈值电压、饱和电压、电阻率、电压保持率、离子密度、低温性能的测试方法。 本文件适用于混合液晶纯度、易挥发分、水分含量、颗粒、金属离子浓度、清亮点、动力粘度、密度、弹性常数、旋转粘度、光学各向异性、介电各向异性、阈值电压、饱和电压、电阻率、电压保持率、离子密度、低温性能的测定。