适用范围：本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。 本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。 IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

适用范围：本文件描述了评估集成电路（IC）表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅能扫描IC，还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射，宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行，也能在时域进行。

适用范围：本文件提供了集成电路的传导和辐射电磁发射测量的通用信息和定义，同时也给出了试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告内容的描述。附录A中给出了试验方法的对照表，以帮助选择适当的测量方法。 本文件的目的是描述通用条件，建立一个统一的测试环境以定量测量来自集成电路(IC)的射频(RF)骚扰。本文件描述了影响试验结果的关键参数。若与本文件的描述有所偏离，需在试验报告中明确注明。测量结果能用于产品比较或其他用途。 通过对受控条件下IC产生的辐射射频骚扰或传导射频发射的电压和电流的测量，获得IC应用过程中可能产生的射频骚扰信息。 IEC 61967的每个部分规定了所适用的频率范围。

适用范围：本文件描述了使用带状线测量集成电路（IC）电磁辐射发射的方法。被评估IC安装在IC带状线结构的有效导体和地平面之间的EMC试验板（PCB）上。

适用范围：本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。 ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。 ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

适用范围：本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。 本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便: ● 预测IC的近场辐射发射; ● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。 本文件包括两个主要部分: ● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述; ● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。

适用范围：本文件给出了0.80 mm或更小引出端节距的密节距焊盘阵列封装（FLGA）的标准外形图、尺寸及推荐的范围值。

适用范围：本文件描述了安装在标准化试验板或其最终应用的印制电路板（PCB）上的集成电路（IC）的传导电磁发射测量工作台法拉第笼法。 本文件适用于在物理尺寸小的试验板上使用的能执行“独立”功能的IC。

适用范围：本文件描述了使用微型磁场探头以非接触式的电流测量来评估集成电路（IC）引脚射频（RF）电流的方法。 该方法测量IC在150 kHz～1 GHz频率范围内产生的RF电流，适用于标准试验板上的单个或一组IC的测量，以用来表征和对比IC的RF电流。该方法也用于评估实际使用的印制电路板（PCB）上的单个或一组IC的电磁特性以减小发射。该方法称为“磁场探头法”。

适用范围：本文件规定了车辆集成电路（IC）电磁兼容性（EMC）的通用试验要求，描述了相应试验方法。 本文件适用于车辆IC 150 kHz～6 GHz频率范围内的射频（RF）发射和RF抗扰度，以及脉冲抗扰度和系统级静电放电（ESD）抗扰度。 本文件为通用规范，特定IC的试验项目和试验等级参考相应的产品标准，或由IC用户和制造商协商确定。

适用范围：本文件描述了评估近电场、近磁场或近电磁场分量对集成电路（IC）影响的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也可用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅可扫描IC，还可扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描抗扰度，宜使用IEC 62132-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC对其上方的电场或磁场近场骚扰的敏感度（抗扰度）图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。本测量方法使用连续波(CW)、幅度调制(AM)或脉冲调制(PM)信号在频域进行。

适用范围：本文件描述了电子元器件长期贮存过程中数据存储的各方面要求，这些要求是使用长期贮存后的电子元器件所必需的，同时可保持可追溯性或数据链完整性。为了避免存储期间丢失数据，本文件规定了需要与元器件或芯片一起存储的数据类型，以及最佳存储方式。如本文件所定义，长期贮存是指对于计划长期贮存的产品，持续贮存时间超过12个月。本文件还给出了促进电子元器件长期贮存的基本原理、良好的工作实践和一般方法。 注：在GB/T 42706（所有部分)中，术语“元器件”与芯片、晶圆、无源器件以及封装器件具有互换性。

适用范围：本文件描述了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下利用大电流注入(BCI)法测量集成电路(IC)抗扰度的试验方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。这种方法仅用于有板外连线的IC，例如连接到电缆束。本试验方法把RF电流注入到一根或一组线缆。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：本文件描述了一种用于量化安装在标准试验板或其最终应用的印制电路板（PCB）上的集成电路（IC）对电磁传导骚扰的射频抗扰度测量方法。 本文件适用于在物理尺寸小的试验板上使用的能执行“独立”功能的IC。

适用范围：本文件描述了电子元器件长期贮存方法，以及相关的推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

适用范围：本文件规定了封装或涂覆元器件长期贮存方法和推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行封装或涂覆元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的协议层功能要求，对接总线协议的通用传输要求，并规定了对接AXI总线协议、对接HAI协议、对接自定义协议的传输要求及不同协议之间的配置。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的数据链路层技术要求，包括：传输报文格式、数据错误检测和纠错机制，以及链路状态和功耗管理相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了基于2.5D封装的物理层技术要求，包括初始化及训练流程、物理层电气特性、冗余机制、接口物理布局和低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的基于2D封装的物理层技术要求，包括初始化及训练流程、物理层电气规范、冗余机制、接口物理布局、低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。