国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 32814-2016 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process适用范围：本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2016-08-29 | 实施时间： 2017-03-01收藏 -
现行
译：GB/T 32816-2016 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for criterion of the combinationof the deep etching and bonding process适用范围：本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2016-08-29 | 实施时间： 2017-03-01收藏
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现行
译：GB/T 32817-2016 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Generic specification for MEMS适用范围：本标准描述了用半导体制造的微机电系统（MEMS）的总规范，规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程，给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件［如传感器、射频MEMS，但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统（MicroTAS）和微能源MEMS］。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2016-08-29 | 实施时间： 2017-03-01收藏
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现行
译：GB/T 32815-2016 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for criterion of the bulk silicon piezoresistance process适用范围：本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2016-08-29 | 实施时间： 2017-03-01收藏
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现行
译：GB/T 15878-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for small outline package适用范围：本标准规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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现行
译：GB/T 15876-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic quad flat package适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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现行
译：GB/T 14112-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification for stamped leadframes of plastic DIP适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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现行
译：GB/T 16525-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架的研制、生产和采购。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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现行
译：GB/T 15877-2013 Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching适用范围：本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方法及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银)，单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-08-15收藏
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现行
译：GB/T 20296-2012 Mnemonics and symbols for integrated circuits【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-12-31 | 实施时间： 2013-07-01收藏
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现行
译：GB/T 28275-2012 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process适用范围：本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。 本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-05-11 | 实施时间： 2012-12-01收藏
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现行
译：GB/T 28274-2012 Silicon-based MEMS fabrication technology—The basic regulation of layout design适用范围：本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。 本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-05-11 | 实施时间： 2012-12-01收藏
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现行
译：GB/T 28276-2012 Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for dissolved wafer process适用范围：本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。 本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-05-11 | 实施时间： 2012-12-01收藏
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现行
译：GB/T 28277-2012 Silicon-based MEMS fabrication technology—Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area适用范围：本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。 本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-05-11 | 实施时间： 2012-12-01收藏
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现行
译：GB/T 26112-2010 Micro-electromechanical system technology—General rules for the assessment of micro-mechanical parameters适用范围：本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 26111-2010 Micro-electromechanical system technology—Terms适用范围：本标准规定了微机电系统领域所涉及的材料、设计、加工、封装、测量以及器件等方面的通用术语和定义。 本标准适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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现行
译：GB/T 26113-2010 Micro-electromechanical system technology—General rules for the assessment of micro-geometrical parameters适用范围：本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构等从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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现行
译：GB/T 17574.11-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-11:Digital integrated circuits—Blank detail specification for single supply integrated circuit electrically erasable and programmable read-only memory【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-12-05 | 实施时间： 2007-05-01收藏
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现行
译：GB/T 17574.9-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-9:Digital integrated circuits—Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-12-05 | 实施时间： 2007-05-01收藏
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现行
译：GB/T 17574.20-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-20:Digital integrated circuits—Family specification—Low voltage integrated circuits适用范围：本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范，包括电源电压值、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。 同时给出每类标称电源电压的两种接口规范：正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的，典型容差大约是10％。宽范围是扩展到一个较宽的范围，可以使电池继续工作的实际值。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L56半导体集成电路发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-12-05 | 实施时间： 2007-05-01收藏
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被代替
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