适用范围：本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。 本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。

适用范围：本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。

适用范围：本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。 本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。

适用范围：本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。

适用范围：本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。

适用范围：本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。 本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。

适用范围：本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况: a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件; b) GaN集成功率芯片; c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。 提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。

适用范围：本文件描述了沉积或黏合在非导电柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法，以测量薄膜的机电性能或柔韧性。导电薄膜广泛应用于柔性半导体器件，是指沉积或黏合到非导电柔性基板上的薄膜，如金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜等。由于薄膜-基板之间的界面黏附作用，柔性基板上的薄膜与独立的薄膜和基板机电特性不同。本文件的目的是确立用于评估柔性基板上导电薄膜机电性能或柔韧性的简单且可重复的试验方法。本文件中的弯曲试验方法包括外弯曲试验和内弯曲试验。

适用范围：本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。 本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。

适用范围：本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时，电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

适用范围：本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号，符号，基本额定值和特性，测试方法，接收和可靠性要求。 本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括： --信号二极管（不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管）； --开关二极管（不包括大功率整流二极管）； --电压调整二极管； --电压基准二极管； --电流调整二极管。

适用范围：本文件规定了一种标准试验片，用于保证长度和宽度均小于1 mm、厚度小于10 μm的薄膜材料拉伸试验的适用性和准确性，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类器件使用的主要结构材料。 本文件为了确保拉伸试验系统的适用性和准确性，测试用标准试验片的拉伸强度应是可预计的，且在测试系统测试范围内。同时也对试验片进行了详细规定，以最小化试验片之间的性能偏差。

适用范围：本文件规定了微波二极管和晶体管的术语和定义、基本额定值和特性、测试方法及验证方法等产品特定要求。 本文件适用于以下各类微波二极管和晶体管: ———变容二极管(用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等); ———阶跃二极管(用于梳状谱发生器、倍频器等); ———混频二极管(用于混频器等); ———检波二极管(用于检波器等); ———体效应二极管(用于振荡器、放大器等); ———PIN二极管(用于开关、限幅器、移相器、衰减器等); ———噪声二极管(用于固态噪声源等); ———双极型晶体管(用于放大器、振荡器); ———场效应晶体管(用于放大器、振荡器)。

适用范围：本文件规定了在特殊情况下的贮存方法，产品内部包含以封装或电路板形式存在的各种类型的硅器件和半导体器件，贮存形式包括完整组装单元或子组装单元。本文件还适用于异构器件，但需特别注意组件或集成形式的存储器。 本文件提供了用户和供应商交互的指南及要求，以应对这类场景的复杂性。 注：在IEC 62435（所有部分）中“元器件”一词与裸片、晶圆、无源器件以及封装器件互换使用。

适用范围：本文件描述了长度和宽度均小于1 mm，厚度小于10 μm的薄膜材料的拉伸试验方法，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类微型器件的主要结构材料。 微机电系统、微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征，如典型尺寸为微米级、材料采用淀积工艺制备、试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备。本文件规定的试验方法，能保证这类特殊性材料试验结果的准确性。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件（以下简称“器件”）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。 本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。

适用范围：本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管，信号、开关和调整二极管，晶闸管，双极型晶体管，场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。