GB/T 42709.2-2026 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法

ICS31200

CCSL.40

中华人民共和国国家标准

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

半导体器件微电子机械器件

第2部分薄膜材料拉伸试验方法

:

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part2Tensiletestinmethodofthinfilmmaterials

:g

IEC62047-22006IDT

(:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和定义

4………………1

试验方法和试验设备

5……………………2

夹持方法

5.1……………2

加载方法

5.2……………2

试验速度

5.3……………2

力的测量

5.4……………2

伸长测量

5.5……………2

应力应变曲线

5.6-………………………3

环境控制

5.7……………3

试验片

6……………………3

概述

6.1…………………3

试验片平面形状

6.2……………………3

试验片厚度

6.3…………………………3

测量标记

6.4……………3

试验报告

7…………………3

附录资料性试验片夹持方法

A()………………………5

静电夹持方法

A.1………………………5

粘接方法

A.2……………5

机械夹持方法

A.3………………………5

拉伸机构集成式方法在片方法

A.4()…………………5

插针方法

A.5……………5

附录规范性试验条件

B()………………6

试验速度

B.1……………6

加载单元精度

B.2………………………6

伸长测量

B.3……………6

附录资料性试验片

C()…………………7

试验片平面形状

C.1……………………7

试验片光刻掩膜

C.2……………………7

试验片厚度测量

C.3……………………7

测量标记

C.4……………8

Ⅰ

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已经发布了以

GB/T42709《》2。GB/T42709

下部分

:

第部分薄膜材料拉伸试验方法

———2:;

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片

———3:;

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分薄膜材料拉伸试验

IEC62047-2:2006《2:

方法

》。

本文件增加了术语和定义一章

“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位河北美泰电子科技有限公司中国电科产业基础研究院

:、。

本文件主要起草人梁彦青罗蓉姚世婷周明琴刘聪聪杨拥军吝海锋

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

引言

本文件规定了微机电系统微机械和同类器件用的长度和宽度均小于厚度小于

(MEMS)、1mm、

的薄膜结构材料拉伸试验和方法

10μm。

本文件等同采用能使我国相关领域的检验方法与国际接轨促使我国半导体器

IEC62047-2:2006,,

件的质量达到国际水平

。

半导体器件微电子机械器件拟由个部分构成

GB/T42709《》22。

第部分薄膜材料拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片的

———3:。MEMS

相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语定义特性要求测试方

———5:MEMS。MEMS、、

法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语定义特性要求测试方法等

、、、。

第部分带状薄膜拉伸特性测量的带材弯曲试验方法目的在于规定用于测量薄膜拉伸特

———8:。

性的带材弯曲试验方法

。

第部分晶圆间键合强度测量目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:。MEMS。

第部分悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空

———11:。

材料的线性热膨胀系数测试方法

MEMS。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料挠曲疲劳试验方法

。

第部分结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法目的在于规定结构的黏结

———13:MEMS。MEMS

强度试验方法

。

第部分膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定膜

———16:MEMS。MEMS

残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语定义特性要求测试方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的

———22:。MEMS

机电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和测量方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃浆料键合强度的微型形试验测量方法目的在于规定玻璃熔结结

———27:V(MCT)。

构的粘结强度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

Ⅳ

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

第部分柔性器件弯曲变形下的电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的

———35:MEMS。

弯曲变形状态电特性测试方法

。

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体粘附强度的试验方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

Ⅴ

GB/T427092—2026/IEC62047-22006

.:

半导体器件微电子机械器件

第2部分薄膜材料拉伸试验方法

:

1范围

本文件描述了长度和宽度均小于厚度小于的薄膜材料的拉伸试验方法该类薄膜材

1mm,10μm,

料是微机电系统微机械和同类微型器件的主要结构材料

(MEMS)、。

微机电系统微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征如典型尺寸为微米

、,

级材料采用淀积工艺制备试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备本文件规定的试验方

、、。

法能保证这类特殊性材料试验结果的准确性

,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件且最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

所有部分金属材料拉伸试验方法

ISO6892()(Metallicmaterials—Tensiletesting)

注所有部分金属材料拉伸材料所有部分

:GB/T228.1()[ISO6892()]

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4符号和定义

试验片的外形图见图尺寸符号及定义见表

1,1。

表1试验片的尺寸符号及定义

符号单位定义

a试验片厚度

μm

b试验片平行长度的宽度

μm

L原始标距

oμm

L平行长度

cμm

L试验片总长度

tμm

S2平行长度的原始横截面积

oμm

R夹持端和平行长度之间过渡圆弧部分的曲率半径

μm

1