GB/T 42709.3-2026 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片

ICS31200

CCSL.40

中华人民共和国国家标准

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

半导体器件微电子机械器件

第3部分拉伸试验用薄膜标准试验片

:

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part3Thinfilmstandardtestiecefortensiletestin

:pg

IEC62047-32006IDT

(:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验片材料

4………………1

试验片制备

5………………1

试验片平面形状

6…………………………1

试验片厚度

7………………2

测量标记

8…………………2

试验

9………………………2

标准试验片附加文件

10……………………2

附录资料性试验片

A()…………………3

试验片光刻掩膜

A.1……………………3

试验片厚度测量

A.2……………………3

用于试验的试验片数量

A.3……………3

Ⅰ

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已经发布了以

GB/T42709《》3。GB/T42709

下部分

:

第部分薄膜材料拉伸试验方法

———2:;

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片

———3:;

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分拉伸试验用薄膜标

IEC62047-3:2006《3:

准试验片

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位河北美泰电子科技有限公司中国电科产业基础研究院

:、。

本文件主要起草人梁彦青罗蓉姚世婷周明琴刘聪聪杨拥军吝海锋

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

引言

本文件旨在确保微机电系统微机械以及同类器件用的长度和宽度均小于厚度小

(MEMS)、1mm、

于的薄膜结构材料拉伸试验用标准试验片的制备以保证试验的适用性和准确性同时也对试

10μm,。

验片进行了详细规定以最小化试验片之间的性能偏差

,。

本文件等同采用能使我国相关领域的检验方法与国际接轨促使我国半导体器

IEC62047-3:2006,,

件的质量达到国际水平

。

半导体器件微电子机械器件拟由个部分构成

GB/T42709《》22。

第部分薄膜材料拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片的

———3:。MEMS

相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语定义特性要求测试方

———5:MEMS。MEMS、、

法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语定义特性要求测试方法等

、、、。

第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法目的在于规定用于测量薄膜拉伸特性的

———8:。

带材弯曲试验方法

。

第部分晶圆间键合强度测量目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:。MEMS。

第部分悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空

———11:。

材料的线性热膨胀系数测试方法

MEMS。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料挠曲疲劳试验方法

。

第部分结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法目的在于规定结构的黏结

———13:MEMS。MEMS

强度试验方法

。

第部分膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定膜

———16:MEMS。MEMS

残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语定义特性要求测试方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的

———22:。MEMS

机电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和测量方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃浆料键合强度的微型形试验测量方法目的在于规定玻璃熔结结

———27:V(MCT)。

构的粘结强度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

Ⅳ

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

第部分柔性器件弯曲变形下的电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的

———35:MEMS。

弯曲变形状态电特性测试方法

。

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体粘附强度的试验方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

Ⅴ

GB/T427093—2026/IEC62047-32006

.:

半导体器件微电子机械器件

第3部分拉伸试验用薄膜标准试验片

:

1范围

本文件规定了一种标准试验片用于保证长度和宽度均小于厚度小于的薄膜材料拉

,1mm、10μm

伸试验的适用性和准确性该类薄膜材料是微机电系统微机械和同类器件使用的主要结构

,(MEMS)、

材料

。

本文件为了确保拉伸试验系统的适用性和准确性测试用标准试验片的拉伸强度应是可预计的且

,,

在测试系统测试范围内同时也对试验片进行了详细规定以最小化试验片之间的性能偏差

。,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件且最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件微电子机械器件第部分薄膜材料拉伸试验方法

GB/T42709.2—20262:(IEC

62047-2:2006,IDT)

精细陶瓷高级陶瓷高级工业陶瓷通过声波共振法测定室温下单片陶瓷弹性模量

ISO17561(、)

的试验方法

[Fineceramics(advancedceramics,advancedtechnicalceramics)—Testmethodforelas-

ticmoduliofmonolithicceramicsatroomtemperaturebysonicresonance]

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4试验片材料

宜采用已知机械性能的材料制备试验片优选单晶硅材料对于塑性材料的拉伸试验系统塑性材

,。,

料能够当作附加材料使用

。

5试验片制备

试验片材料的淀积工艺和试验片的制备工艺宜按规范进行

。

6试验片平面形状

试验片外形尺寸如平行长度试验片宽度以及标距应控制在的精度范围内平行长度应超

,、,±1%。

过宽度的倍

2.5。

1