GB/T 42709.29-2026 半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

半导体器件微电子机械器件

第29部分室温下悬空导电薄膜的

:

机电松弛试验方法

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part29Electromechanicalrelaxationtestmethodforfreestandin

:g

conductivethinfilmsunderroomtemperature

IEC62047-292017IDT

(:,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和符号

3、…………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

符号

3.2…………………2

试样

4………………………3

通则

4.1…………………3

试样的形貌

4.2…………………………3

尺寸测量

4.3……………3

试验原理及试验装置

5……………………3

试验原理

5.1……………3

试验环境

5.2……………3

试验设备

5.3……………3

试验程序

5.4……………3

数据分析

5.5……………4

试验报告

6…………………4

附录资料性悬空金薄膜的机电松弛试验实例

A()……………………6

试验概述

A.1……………6

试验结果

A.2……………7

Ⅰ

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已发布了以下

GB/T42709《》29。GB/T42709

部分

:

第部分薄膜材料拉伸试验方法

———2:;

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片

———3:;

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法

———6:;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法

———8:;

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

———12:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:;

第部分薄膜材料泊松比测试方法

———21:MEMS;

第部分柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法

———22:;

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法

———29:;

第部分柔性器件弯曲形变下的电特性测试方法

———35:MEMS;

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

———36:MEMS;

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法

———38:MEMS;

第部分惯性冲击开关阈值测试方法

———40:MEMS。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分室温下悬空导

IEC62047-29:2017《29:

电薄膜的机电松弛试验方法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

在图中相机更改为相机

———A.1,“CCD”“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会和全国微机电技术标准化技术委员会

(SAC/TC599)

共同归口

(SAC/TC336)。

本文件起草单位浙江大立科技股份有限公司杭州大立微电子有限公司中国电子技术标准化研

:、、

究院浙江拓感科技有限公司国科大杭州高等研究院中国科学院微电子研究所工业和信息化部电子

、、、、

第五研究所中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国计量大学复旦大学义乌研究院

、、、。

本文件主要起草人朱晓荣姜利军潘峰刘若冰张传杰唐国良焦斌斌刘海涛池积光

:、、、、、、、、、

钱良山刘翔钱剑马志刚李春来刘世界罗雯雯陈勇国肖克来提陈亮李方浩康永印

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

引言

半导体器件微电子机械器件拟由以下部分构成

GB/T42709《》。

第部分薄膜材料拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片的

———3:。MEMS

相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语和定义特性要求测试

———5:MEMS。MEMS、、

方法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语和定义特性要求测试方法等

、、、。

第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法目的在于规定用于测量带状薄膜拉伸特

———8:。

性的弯曲试验方法

。

第部分晶圆间键合强度测量目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:。MEMS。

第部分悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空

———11:。

材料的线性热膨胀系数测试方法

MEMS。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料弯曲疲劳试验方法

。

第部分结构粘结强度的弯曲和剪切试验方法目的在于规定结构的粘附

———13:MEMS。MEMS

强度试验方法

。

第部分膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定薄

———16:MEMS。MEMS

膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语和定义特性要求测试方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的机

———22:。MEMS

电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和试验方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃浆料键合强度的微型形试验测量方法目的在于规定玻璃熔结结

———27:V(MCT)。

构的粘结强度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

第部分柔性器件弯曲形变下的电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的

———35:MEMS。

弯曲变形状态电特性测试方法

。

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

Ⅳ

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体粘附强度的测试方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

第部分谐振电场敏感器件动态特性测试方法目的在于规定用于评估和确定

———44:MEMS。

谐振电场敏感器件动态性能的术语定义和测试方法

MEMS、。

Ⅴ

GB/T4270929—2026/IEC62047-292017

.:

半导体器件微电子机械器件

第29部分室温下悬空导电薄膜的

:

机电松弛试验方法

1范围

本文件描述了一种松弛试验方法该方法用于测试微电子机械器件的悬空导电薄膜在恒

,(MEMS)

定应变和室温条件下的机电性能悬空导电薄膜在光电子学柔性可穿戴电子产品中有着广

。MEMS、、/

泛的应用悬空薄膜在产品工况中会受到外部和内部的应力作用即使在室温下工作一段时间后也可

。,,

能发生应力松弛这种松弛会导致产品的电性能随时间而变化

,。

本文件适用于采用各向同性均质或线性黏弹性材料制备的悬空导电薄膜

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件微电子机械器件第部分薄膜材料拉伸试验方法

GB/T42709.2—20262:

(IEC62047-2:2006,IDT)

半导体器件微电子机械器件第部分拉伸试验用薄膜标准试验片

GB/T42709.3—20263:

(IEC62047-3:2006,IDT)

半导体器件微电子机械器件第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲

GB/T42709.8—20268:

试验方法

(IEC62047-8:2011,IDT)

半导体器件微电子机械器件第部分薄膜材料泊松比测试

GB/T42709.21—202621:MEMS

方法

(IEC62047-21:2014,IDT)

半导体器件微电子机械器件第部分柔性衬底导电薄膜机电拉伸

GB/T42709.22—202622:

测试方法

(IEC62047-22:2014,IDT)

3术语定义和符号

、

31术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

。

和维护的用于标准化的术语数据库网址如下

ISOIEC:

在线浏览平台

———ISO:/obp;

电工百科

———IEC:/。

311

..

应变系数gaugefactor

GF

电阻R的相对变化量与机械应变变化量ε之比

(Δ)。

注应变系数计算公式为GRRε其中R是电阻变化量R是未发生应变时的电阻ε是机械应变变

:F=(Δ/)/Δ。,Δ,,Δ

1